产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路。不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺点。正高电气优良的研发与生产团队，专业的技术支撑。内蒙古行吊稳流稳压模块
电力半导体器件有：全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，软恢复快速整流管(FRD)，旋转整流管(ZX)，大功率组合整流元件，普通晶闸管(KP)，快速晶闸管(KK)，双向晶闸管(KS)，逆导晶闸管(KN)，可关断晶闸管(GTO)，电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件，各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源，充电电源，电机调速，感应加热及热处理等各种整流、逆变和变频领域。我公司所生产的电力电子器件成功的替代了多种进口器件，实现了自动轧机原器件的国产化；6K、6G、8K、8G电力机车原器件也全部由我公司国产化，使用寿命超过了进口元件。在自动控制方面，我公司成功开发出各种工控板，应用在各种不同的场合，真正形成了控制方式灵活，保护齐全，可靠性高的优势。与模块结合开发了智能模块。广泛应用于不同行业各种领。在散热器方面公司成功开发了，通过努力已进入了国内的输变电行业、机车行业所需的**市场。我公司秉承快速反应、持续改进的工作作风，融入世界的发展战略，致力于提高品牌**度的发展目标，建成国际前列、国内**的功率半导体制造基地。内蒙古蓄电池充放电三相整流调压模块正高电气以质量为生命”保障产品品质。
晶闸管模块的工作条件：
1.当晶闸管模块承受正向阳极电压时，只有在门级承受正向电压时，晶闸管才打开。此时，晶闸管处于正导通状态，这就是晶闸管的晶闸管特性，即可控特性。
2.晶闸管模块开着时，只要有一定的正极电压，不管门级电压是多少，晶闸管都继续工作，即晶闸管接通后，门级就失去了功能。门级只会起到触发的作用。
3.当主电路电压（或电流）降至接近零时，当主电路电压（或电流）降为零时，晶闸管模块被关闭。
4.当晶闸管模块承受反向阳极电压时，无论门级承受何种电压，晶闸管都处于反向闭锁状态。在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内，逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内。
由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，所以元件在关断过程中，正向电压下降到零时，内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使积蓄载流子迅速消失，这时反向电流消失的极快，即di/dt极大。因此即使和元件串连的线路电感L很小，电感产生的感应电势L（di/dt）值仍很大，这个电势和电源电压串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压，称为关断过电压，其数值可达工作电压峰值的5～6倍，所以必须采取措施。阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮，电阻防止电容和电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗和电流上升率。这种吸收回路能晶闸管由导通到截止时产生的过电压，有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子，即引线要短。比较好采用无感电阻，以取得较好的保护效果。各型号模块对应的电阻和电容值根据表10选取。（2）压敏电阻吸收过电压压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压（V1mA），是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择，主要考虑额定电压和通流容量。正高电气企业价值观：以人为本，顾客满意，沟通合作，互惠互利。
硒堆的特点是其动作电压和温度有关，温度越低耐压越高；另外是硒堆具有自恢复特性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖，又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：指压敏电阻流过1mA直流电流时，其两端的电压值。通流容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形冲击电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称电压变化在-10[[[%]]]以内的比较大冲击电流值来表示。因为正常的压敏电阻粒界层只有一定大小的放电容量和放电次数，标称电压值不仅会随着放电次数增多而下降，而且也随着放电电流幅值的增大而下降，当大到某一电流时，标称电压下降到0，压敏电阻出现穿孔，甚至炸裂；因此必须限定通流容量。正高电气智造产品，制造品质是我们服务环境的决心。内蒙古蓄电池充放电晶闸管智能模块
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晶闸管一般指晶体闸流管晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。中文名晶闸管外文名Thyristo目录1种类2工作原理3工作条件4工作过程5注意事项6如何保护晶闸管晶体闸流管种类编辑（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。。二）按引脚和极性分类晶体闸流管晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。。内蒙古行吊稳流稳压模块
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