崇明区进口漏电检测芯片包括什么

    如无特殊说明，均可从商业途径得到。附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。相关技术中，一般在玻璃基底上沉积或旋涂具备羧基或其他包含可与蛋白偶联的基团的化合物薄膜，实现检测芯片的制作，以用于后续蛋白偶联。然而，熔融工艺制备的玻璃基底具有诸多缺陷，致使上述化合物薄膜在玻璃基底上的附着性较差，易发生脱落，影响蛋白偶联效率。针对相关技术中存在的上述问题，本公开实施例提供了一种检测芯片及其修饰方法。具体地，本申请实施例提供的一种检测芯片的修饰方法，如图1所示，包括以下步骤：s101、对具有硅氧化物siox的检测芯片活化处理，以使硅氧化物转化为硅羟基，如反应式i所示；s102、将具有硅羟基的检测芯片置于3-氨丙基三乙氧基硅烷的有机溶液中，形成在硅羟基上接枝的氨基，如反应式ii所示；s103、将具有氨基的检测芯片置于丁二酸酐的饱和溶液中，得到表面结合有羧基的检测芯片，如反应式iii所示。在本申请实施例提供的上述修饰方法中，在检测芯片表面上进行了一系列表面化学反应操作，使得检测芯片表面生成了通过化学键连接的羧基。通过互感器检测到漏电流，再由该芯片实现信号采集、识别后实现控制用电回路。确保安全用电、可靠用电。崇明区进口漏电检测芯片包括什么

    形成在硅羟基上接枝的氨基；将具有氨基的检测芯片置于丁二酸酐的饱和溶液中，得到表面结合有羧基的检测芯片。通过对检测芯片的硅氧化物活化处理，使得检测芯片表面生成硅羟基；之后硅羟基与3-氨丙基三乙氧基硅烷进行反应，形成表面接枝有氨基的检测芯片；较后氨基与丁二酸酐之间发生反应，在检测芯片的表面形成了高密度羧基分布。也就是说，上述一系列表面化学反应，使得检测芯片表面生成了通过化学键连接的羧基，解决了相关技术中检测芯片上包含羧基的化合物薄膜易脱落的问题，提高了后续蛋白偶联效率。附图说明图1为本申请实施例提供的检测芯片的修饰方法的流程图；图2为本申请实施例提供的检测芯片的结构示意图；图3为采用本申请实施例提供的检测芯片进行抗体标记的荧光图像。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本申请实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。需要注意的是，下述实施例中所用的材料、试剂等。杨浦区什么是漏电检测芯片发展趋势电力及物联网领域产品开发 专注创“芯”、合作共赢,聚焦电力市场。

    在导流坝204的疏引作用和疏水层205的疏水作用下，待检测溶液均匀稳定地流过各点样平台202所在的区域。以硅氧化物203为基础经过上述修饰方法获得的化学修饰基团203’已与目标抗原或抗体结合，使得在待检测溶液流过点样平台202的过程中，待检测溶液中的标志物会与化学修饰基团203’上的目标抗原或抗体结合，从而将标志物固定到检测芯片上。然后，定位部件209与另行提供的光学检测设备配合来实现检测芯片的定位，以对检测芯片进行光学检测(例如荧光检测)，进而得到免疫检测结果。综合上述描述可知，在本申请实施例提供的上述检测芯片及其修饰方法中，通过对检测芯片的硅氧化物活化处理，使得检测芯片表面生成硅羟基；之后硅羟基与3-氨丙基三乙氧基硅烷进行反应，形成表面接枝有氨基的检测芯片；较后氨基与丁二酸酐之间发生反应，在检测芯片的表面形成了高密度羧基分布。也就是说，上述一系列表面化学反应，使得检测芯片表面生成了通过化学键连接的羧基，解决了相关技术中检测芯片上包含羧基的化合物薄膜易脱落的问题，提高了后续蛋白偶联效率。适用于体外诊断、筛选、细胞培养、免疫荧光检测等所需的微流控体系。另外，本申请提供的上述修饰方法是基于玻璃基底进行的。

    并采用氮气对清洗后的所述检测芯片吹干备用。可选地，在本申请实施例提供的上述修饰方法中，在所述采用对具有硅氧化物的所述检测芯片进行超声清洗之前，还包括：对玻璃基底进行预处理，形成具有硅氧化物的所述检测芯片。可选地，在本申请实施例提供的上述修饰方法中，所述对玻璃基底进行预处理，形成具有硅氧化物的所述检测芯片，具体包括：在所述玻璃基底上形成多个点样平台；采用等离子体增强化学的气相沉积法，在390℃的温度条件下，在各所述点样平台所在层上沉积厚度为300nm、材质为硅氧化物的亲水层，并对所述亲水层进行刻蚀，保留各所述点样平台所在区域的硅氧化物，获得具有所述硅氧化物的所述检测芯片。基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种检测芯片，包括：玻璃基底，位于所述玻璃基底上的多个点样平台，以及覆盖各所述点样平台的亲水层，所述亲水层包括具有化学修饰基团的硅氧化物；其中，所述化学修饰基团采用如上所述的修饰方法获得。本申请有益效果如下：本申请实施例提供了一种检测芯片及其修饰方法，该修饰方法包括对具有硅氧化物的检测芯片活化处理，以使硅氧化物转化为硅羟基；将具有硅羟基的检测芯片置于3-氨丙基三乙氧基硅烷的有机溶液中。上海芯北电子科技有限公司的BMS解决方案，汽车仪表，智能开关，漏电保护器等领域。

    将具有所述氨基的所述检测芯片放入丁二酸酐的n,n-二甲基甲酰胺饱和溶液中浸泡24h-48h。可选地，在本申请实施例提供的上述修饰方法中，所述将具有所述氨基的所述检测芯片置于丁二酸酐的饱和溶液中，得到表面结合有羧基的所述检测芯片，具体包括：将具有所述氨基的所述检测芯片放入丁二酸酐的n,n-二甲基甲酰胺饱和溶液中，在75℃-90℃的温度条件下水浴回流24h-48h。可选地，在本申请实施例提供的上述修饰方法中，所述对具有硅氧化物的所述检测芯片活化处理，以使所述硅氧化物转化为硅羟基，具体包括：将具有硅氧化物的所述检测芯片放入食人鱼溶液中，在70℃-90℃的温度条件下浸泡12h-24h；所述食人鱼溶液由浓硫酸和30％双氧水构成，其中，所述浓硫酸与所述30％双氧水的体积比为1:3。可选地，在本申请实施例提供的上述修饰方法中，在执行每一步骤之后，对所述检测芯片进行如下处理：采用去离子水对所述检测芯片冲洗两遍；将冲洗后的所述检测芯片在去离子水中超声清洗处理后，氮气吹干备用。可选地，在本申请实施例提供的上述修饰方法中，在所述对具有硅氧化物的所述检测芯片活化处理之前，还包括：依次采用、乙醇、去离子水对具有硅氧化物的所述检测芯片进行超声清洗。聚焦于电力及物联网领域的产品开发， 开发具有自主知识产权的电源管理芯片、显示驱动芯片、马达驱动芯片等。辽宁新型漏电检测芯片设计

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