在较低频率下，较大的电容可以提供低电阻接地路径。一旦这些电容达到自谐振频率，它们的电容特性就消失了，它们变成了具有电感特性的元件。这就是并联使用多个电容的主要原因，可以在很宽的频率范围内保持较低的交流阻抗。芯片电源要求电源稳定，但实际电源不稳定，高频低频干扰混杂。实际电容与理想电容大相径庭，具有RLC三重性质。10uf的电容对低频干扰的过滤效果很好，但对于高频干扰，电容是感性的，阻抗太大无法有效滤除，所以组合一个0.1uf的电容滤除高频成分。如果你的设计要求不高，没必要完全遵守这个规则。钽电容的性能优异，是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。宿迁片式多层陶瓷电容器品牌
陶瓷电容器品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器；按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器；按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。陶瓷电容器的温度特性应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性；不同材料的陶瓷介质，其温度特性有极大的差异。南通固态电容规格钽电容应用：通讯、航天、工业控制、影视设备、通讯仪表 。
铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷，后续铆接工艺不好时，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，这些刺破的部位漏电流很大，局部过热导致电容产生热击穿。
电容容量,普通陶瓷电容的电容范围：0.5pF~100uF。陶瓷的电容从0.5pF开始可以达到100uF，根据不同的电容封装(尺寸)电容会有所不同。在选择电容器时，不能盲目选择大容量。选对了才是对的。比如0402电容可以做到10uF/10V，0805电容可以做到47uF/10V。但为了采购好，成本低，一般不选择电容。一般建议0402选用4.7uF-6.3V，0603选用22uF/6.3，0805选用47uF/6.3V。其他更高的耐受电压需要相应降低。如果满足要求，选择主要看是否常用，价格是否低廉。额定电压陶瓷电容器常见的额定电压有：2.5V、4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV等。电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。
钽电容的性能优良，是一种体积小、电容大的产品。在电源滤波器、交流旁路和其他应用中，几乎没有竞争对手。钽电解电容器主要用于滤波、储能和转换、标记旁路、耦合和去耦，以及作为时间常数元件等。因为它们可以储电，可以充放电。在应用中，应注意其性能特点。正确使用有助于充分发挥其功能，如考虑产品的工作环境和加热温度，采取降额使用等措施，使用不当会影响产品的使用寿命。比如3354USB接口输出，降额后耐压达到5V，集成度比较高。当陶瓷电容器不能满足高耐压和大容量的要求时，我们不得不选择钽电容器。陶瓷的储能效果并不能按照并联的电容来等效，达到同样效果的成本也很高。电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。在电路图中通常用字母C表示电容元件。宿迁滤波电路电容厂家
大容量低耐压钽电容的替代产品：高分子聚合物固体铝电解电容器。宿迁片式多层陶瓷电容器品牌
当电容器的内部连接性能恶化或失效时，通常会出现开路。电气连接的恶化可能是由腐蚀、振动或机械应力引起的。铝电解电容器在高温或湿热环境下工作时，阳极引出箔可能因电化学腐蚀而断裂。阳极引出箔与阳极箔接触不良也会造成电容器间歇性开路。1)在工作初期，铝电解电容器的电解液在负载工作过程中会不断修复和增厚阳极氧化膜(称为填形效应)，导致电容下降。2)在使用后期，由于电解液损耗大，溶液变稠，电阻率增大，增加了等效串联电阻和电解液损耗。同时，随着溶液粘度的增加，铝箔表面不均匀的氧化膜难以充分接触，减少了电解电容器的有效极板面积，导致电容量下降。此外，在低温下工作时，电解液的粘度也会增加，导致电解电容损耗增加，电容下降。宿迁片式多层陶瓷电容器品牌
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