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激光二极管基本参数
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激光二极管企业商机

激光二极管本质上是一个半导体二极管,按照PN结材料是否相同,可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是目前市场应用的主流产品。同激光器相比,激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mW),线性差、单色性不太好,使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中,上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。半导体激光二极管的基本结构如图所示,垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结注入P区,空穴从P区经过PN结注入N区,这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合,从而发射出波长为λ的光子,其公式如下:λ=hc/Eg(1)式中:h—普朗克常数;c—光速;Eg—半导体的禁带宽度。由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值,必须采用必要的散热措施,保证工作在一定的温度范围之内。四川激光二极管厂家供应

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激光二极管原理及应用激光二极管参数与原理及应用,激光的产生机理在讲激光产生机理之前,先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁,称之为自发辐射二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁,称之为受激辐射三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收自发辐射,即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子,它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同,但受激辐射就不同,当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁,发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中,发生的辐射就是受激辐射,它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统,即有受激辐射,也有受激吸收,只有受激辐射占优势,才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势,只有粒子的平衡态被打破,使高能态的粒子数大于低能态的粒子数(这样情况称为离子数反转),才能发出激光。上海激光二极管的作用深圳市凯轩业科技有限公司,激光二极管信赖之选。

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激光二极管是什么?激光二极管(LaserDiode)的LASER是取"LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation(基于受激发射的光放大)"的首字母组成的缩写单词,激光二极管也被称为半导体激光器,通常简称为LD。接下来我们一起来看看激光二极管的性能特点及应用。由于可产生波长及相位等性质完全一样的光,因此相干性高(coherent)是其比较大特点。利用注入电流产生的光在2片镜片之间往返放大,直至激光振荡。简单的说,激光二极管也可以说成是一个通过反射镜将光放大的发光LED。

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段内,**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟,国际上*少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构,有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅,采用一些特殊的设计,如:波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构,提高器件性能。生产技术中,金属有机化学汽相淀积MOCVD和光栅的刻蚀是其关键工艺。MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度,生长效率高,适合大批量制作,反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性,电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备,对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。激光二极管具:有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点。

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由于激光二极管的谱宽是狭窄单一的波长、相位整齐、指向性高的光,因此具备容易控制能量的特征。激光二极管和LED的区别汇总在了下表中:9、应用领域激光二极管由于具有直进性、微小光斑尺寸(数um~)、单色性、高光密度、相干性(coherent)的这些特点,Laser在计算机上的光盘驱动器、激光打印机中的打印头、条形码扫描仪、激光测距、激光医疗、光纤通信、舞台灯光、激光手术、激光切割焊接和激光武器等设备中也得到了广泛应用。①激光二极管发射的激光有可能对人眼造成伤害。二极管工作时,严禁直接注视其端面,不能透过镜片直视激光,也不能透过反视镜观察激光。②与其他的分立式产品相比,激光二极管的ESD水平非常低,因此如果在正向上加入浪涌,则过量发光,导致端面损坏,激光无法振荡(如下图所示)。因此,在电源通断时,要防止浪涌电流的措施。用示波器测试驱动电路时,要先断开电源再连接示波器探头,若在通电情况下测试探头,可能引用浪涌电流损坏器件。半导体激光二极管的工作原理,理论上与气体激光器相同。.四川激光二极管厂家报价

由于激光二极管的谱宽是狭窄单一的波长、相位整齐、指向性高的光,因此具备容易控制能量的特征。四川激光二极管厂家供应

激光的产生在讲激光产生机理之前,先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程,一是处于高能态的粒子自发向低能态跃迁,称之为自发辐射;二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁,称之为受激辐射;三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。自发辐射,即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子,它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同,但受激辐射就不同,当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁,发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中,发生的辐射就是受激辐射,它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统,即有受激辐射,也有受激吸收,只有受激辐射占优势,才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势,只有粒子的平衡态被打破,使高能态的粒子数大于低能态的粒子数(这样情况称为离子数反转),才能发出激光。四川激光二极管厂家供应

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