主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA 凯轩业电子快恢复二极管,只做原装,欢迎咨询。云南快恢复二极管有哪些
9、频率倍增用二极管对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间 trr 短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显示地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因 tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。 云南快恢复二极管有哪些专业快恢复二极管价格优势深圳市凯轩业电子科技有限公司,欢迎您的来电喔!
大体意义上讲,PN结的定义为:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,一般半导体的材料选择为硅或者锗,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。具体介绍PN结的形成大体分为三步,首先扩散运动,P区的空穴浓度远大于N区的自由电子浓度,因此,P区的空穴必然向N区扩散,并与N区中的自由电子复合而消失;同样,N区的自由电子必然向P区漂移,并与P区中的空穴复合而消失。其次是空间电荷区的产生,扩散运动导致了P区一侧失去空穴而留下负离子,N区一侧失去电子而留下正离子,这些不能移动的带电离子称为空间电荷,相应地这个区域称为空间电荷区,较后由于有正离子和负离子,这样在空间电荷区内就会产生一个内电场,内电场的产生让多子的扩散和少子的漂移达到了一个动态平衡,较后形成了PN结。
10、稳压二极管是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从 3V 左右到 150V,按每隔 10%,能划分成许多等级。在功率方面,也有从 200mW 至 100W 以上的产品。工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻 RZ 很小,一般为 2CW 型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为 2DW 型。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。深圳市凯轩业电子科技是一家专业快恢复二极管方案设计公司,欢迎您的来电喔!
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。正向导通状态:电流只能从二极管的正极流入,负极流出,因为它包含一个PN结,有正极和负极两个端子整流二极管能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V)反向截止状态:在二极管两端加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。选用整流二极管时,主要应考虑其较大整流电流、较大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数常用参数:较大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热凯轩业科技有限公司,快恢复二极管,欢迎来电。云南快恢复二极管有哪些
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6、平面型二极管在半导体单晶片(主要地是 N 型硅单晶片)上,扩散 P 型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此,不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN 结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。 云南快恢复二极管有哪些
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