如何抑制“啸叫”现象：1.降压电源通常有PWM和PFM工作模式。PWM模式下纹波小，在高负载功耗条件下使用。为了避免BUCK在PWM模式下充电电容的开关频率引起的啸叫，有些电源的开关频率会刻意避开20hz~20Khz的开关频率。2.当电源处于轻载模式时，会间歇工作，间歇输出几个脉冲。这种间歇脉冲的频率也可以被人耳听到。因此，从电源或负载的角度来看，PFM工作时间歇脉冲的工作频率应进行优化，以避免啸叫。3.另一种是隐藏状态。在项目初期，系统往往不稳定，负载在正常和低功耗模式之间反复切换，电源也很容易在PWM和PFM模式之间切换。这种切换的时隙也可能引起啸叫，需要软件优化系统的稳定性，避免负载工作模式的异常切换，避免啸叫。陶瓷电容的另外一个特性是其直流偏压特性。常州陶瓷片电容哪家便宜
钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF，大多数情况下，如果满足耐压，我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形式是断裂，这是由片式陶瓷电容器本身介质的脆性决定的。由于片式陶瓷电容焊接直接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而铅制陶瓷电容可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于片式陶瓷电容器，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲，淮安主板固态电容规格钽电容在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。
铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷，后续铆接工艺不好时，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，这些刺破的部位漏电流很大，局部过热导致电容产生热击穿。
施加在电解电容器两端的电压不能超过其允许的工作电压。在设计实际电路时，应根据具体情况留有一定的余量。在设计稳压电源的滤波电容时，如果在交流电源电压为220~时，变压器二次的整流电压能达到22V，一般耐压为25V的电解电容就能满足要求。但如果交流电源电压波动较大，有可能上升到250V以上，比较好选择耐压30V以上的电解电容。电解电容器不应靠近电路中的大功率加热元件，以防止电解液因受热而变干。为了过滤正负极性的信号，可以使用两个极性相同的电解电容器串联作为非极性电容器。电容器外壳、辅助引出端子、阳极和阴极以及电路板必须完全隔离。MLCC 产业的下游几乎涵盖了电子工业全领域，如消费电子、工业、通信、汽车等。
内部电极通过逐层堆叠，增加电容两极板的面积，从而增加电容容量。陶瓷介质是内部填充介质，不同介质制成的电容器具有不同的特性，如容量大、温度特性好、频率特性好等等，这也是陶瓷电容器种类繁多的原因。陶瓷电容器基本参数：电容的单位:电容的基本单位是F(法)，此外还有F(微法)、nF、pF(微微法)。因为电容F的容量很大，所以我们通常看到的是F、nF、pF的单位，而不是F。它们之间的具体转换如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF想使电容容量大，有三种方法： ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。浙江电解贴片电容哪家好
铝电解电容用途普遍：滤波作用；旁路作用；耦合作用；冲击波吸收；杂音消除；移相；降压等等。常州陶瓷片电容哪家便宜
MLCC特征:MLCC具有体积小、电容大、高频使用时损失率低、易于芯片化、适合大批量生产、价格低、稳定性高等特点。在信息产品轻薄短小，表面贴装技术(SMT)应用日益普及的市场环境下，其使用量极其巨大。MLCC工艺流程:MLCC制造工艺：以电子陶瓷材料为介质，将预制好的陶瓷浆料流延制成所需厚度的陶瓷介质膜，然后在介质膜上放置印刷内电极，将印刷有内电极的陶瓷介质膜交替堆叠并热压成多个并联的电容器，然后在高温下一次烧结成不可分割的整体芯片，然后在芯片的端部涂上外部电极浆料，使其与内部电极电连接，形成MLCC的两极。常州陶瓷片电容哪家便宜
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