三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。二战时，上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。三极管的口诀：三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。苏州半导体三极管原理
三极管由于集电结是反向偏置电压，空间电荷区的内电场被进一步加强(PN结变宽)，这样反而对基区扩散到集电结边境的载流子电子有很强的吸引力(电子带负电，同性相斥异性相吸)，使它们很快漂移过集电结(电场的吸引或排斥作用引起的载流子移动叫做漂移)，从而形成集电极电流Icn(方向与电子漂移方向相反)。很明显，Icn=Ien-Ibn，因为百万大军一小部分在基区，剩下的大部分在集电区。在多数载流子电子进入到集电区后，集电区(N型)的少数载流子空穴与基区(P型)的少数载流子电子也会产生漂移运动，形成了电流Icbo，而另有一些会跨过基区到达发射区从而形成Iceo。无锡电子三极管分类三极管两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
双极管共发射极接法的电压-电流关系输入特性曲线简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。vCE的影响，可以用三极管的内部的反馈作用解释，即vCE对iB的影响。共发射极接法的输入特性曲线见。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。
判别三管极时应首先确认基极。对于NPN管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极。 实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好（与二极管PN结的测量方法一样），又可确认管型。三极管发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
三极管因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。广东SOT-23三极管厂家现货
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三极管锗管的穿透电流比较大，一般由几十微安到几百微安，硅管的穿透电流就比较小，一般只有零点几微安到几微安。 I ceo 虽然不大，却与温度有着密切的关系，它们遵循着所谓的“加倍规则”，这就是温度每升高 10℃ ， I ceo 约增大一倍。例如，某锗管在常温 20℃ 时， I ceo 为 20μA ，在使用中管芯温度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。测量 I ceo 的电路很简单，三极管的基极开路，在集电极与发射极之间接入电源 V CC （ 6V ），串联在电路中的电流表（可用万用表中的 0.1mA 挡）所指示的电流值就是 I ceo 。苏州半导体三极管原理
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