这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其余的都用功率为1/8W的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、大整流电流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系列。可控硅调压器电路图（二）在很多使用交流电源的负载中，需要完成调光、调温等功能，要求交流电源能平稳地调节电压。图205所示，是一种筒单交流调压器，可代替普通交流调压器，体积小、重量轻、控制方便。工作原理电源经电阻R，和电位器W向电容C充电。当电容上的电成送到手定值时尧通过二极管D和可控硅控制极，使可控硅触发导通，电流流经负载，可控硅导通后。触发电路被短接。在交流电压为零时，可控硅又自动断开，而后触发电路中电容C再次充电，使可控硅再次导通。改变电容的容量和w阻值。可增大或碱小导通角，使输出电压升高或降低。从而起到调压之目的。可控硅的反向电压由电源电压来定：电流参数由负载Rr婴求来定。可控硅调压器电路图（三）本例介绍的温度控制器，具有SB260取材方便、性能可靠等特点，可用于种子催芽、食用菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等方面的温度控制。淄博正高电气企业价值观：以人为本，顾客满意，沟通合作，互惠互利。菏泽双向可控硅调压模块配件
晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。(六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为。(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电压，一般为。(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电流。(九)晶闸管门极反向电压门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。(十)晶闸管维持电流IH维持电流IH是指维持晶闸管导通的小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR断态重复峰值电流IDR。广东单向可控硅调压模块分类淄博正高电气以顾客为本，诚信服务为经营理念。
双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分双向可控硅触发电路的设计方案双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不只是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。公司生产工艺得到了长足的发展，优良的品质使我们的产品****各地。
可控硅保护电路如何设计可控硅的保护电路，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而过电压或过电流的数值。1.过流保护可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因,如整流可控硅损坏,触发电路或控制系统有故障等;其中整流桥可控硅损坏类较为严重,一般是由于可控硅因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力，它相当于整流桥臂发生长久性短路，使在另外两桥臂可控硅导通时，无法正常换流，因而产生线间短路引起过电流.另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，这类情况时有发生，因为整流桥的负载实质是逆变桥,逆变电路换流失败，就相当于整流桥负载短路。另外，如整流变压器中心点接地，当逆变负载回路接触大地时，也会发生整流桥相对地短路。2.可控硅的过压保护可控硅设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。淄博正高电气公司将以优良的产品，完善的服务与尊敬的用户携手并进！广东单向可控硅调压模块分类
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可控硅模块因为使用的时间的增长，肯定或多或少地出现发热的这种情况，为了是可控硅正常运行，我们不得不采取一些措施，针对这种发热的问题，我们将会针对这个问题采取一定的措施，比如购买散热器，或者其他的种类。所以正高电气的小编将会针对这个可控硅模块的问题进行分析一下：1.需要散热的面积，是与这个模块的电流有着直接的联系的。2.采取怎样的冷却方式是有这个环境散热的条件来确定的，比如说：自然去冷却这个发热的问题、用强迫的风冷去降温或者说用水冷却。3.使用什么样的散热器，取决于外形、体积以及空间的大小。铝型材散热器是绝大多数用户将会选择的，但是为了让客户选择的散热器满足实际的要求，还应该学会计算出这个散热器的占地面积，比如说像长度或者面积。所以在特新表上需要标注出散热的面积，这样计算的话就相对简单了。可控硅模块所需散热面积=（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２可控硅还有一种别的名称，叫做可控硅模块，它在电子、电力行业的领域也是非常的。比如在可控整流、交流调压、无触点的电子开关以及变频等电路中也是可以使用的。那么在这个提升可控硅模块的抗干扰能力有什么方法呢？1.为了减少脉冲间的相互干扰。菏泽双向可控硅调压模块配件
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