上海低温烧结银膏

烧结纳米银膏适配第三代半导体器件的封装需求，针对碳化硅、氮化镓等第三代半导体芯片的特性，优化银膏烧结温度与界面结合性能。该材料可实现芯片与基板的互连，同时满足大功率器件对高导电、高导热的双重要求，能够很快导出芯片工作产生的高热量，避免热积累导致的芯片性能下降。在新能源汽车电驱模块、光伏逆变器、工业电源等大功率应用场景中，烧结纳米银膏能适配第三代半导体的运行需求，助力大功率电子器件实现更效率、更稳定的工作状态。聚峰烧结银膏适配有压 / 无压工艺，覆盖新能源汽车、航空航天等应用领域。上海低温烧结银膏

烧结银膏其突出的性能优势在于其导热能力，烧结成型后的银网络热导率可达 200-300W/(m・K)，这一数值是传统锡基焊料（50-70W/(m・K)）的 4 至 5 倍。在高功率电子器件运行时，芯片会产生大量热量，传统焊料因导热效率不足易形成热堆积，导致器件结温过高、性能衰减甚至失效。而烧结银膏凭借超高热导率，能快速将芯片产生的热量传导至散热基板，降低器件热阻，将结温把控在安全范围。这一特性使其成为新能源汽车电控、工业电源、AI 服务器等大功率设备的优先选择热界面与连接材料，直接提升了整机系统的运行效率与可靠性。四川烧结纳米银膏聚峰 JF-PMAg02 可直接烧结于裸铜表面，省去镀银工序，降低封装成本。

聚峰烧结银膏针对 AI 芯片、服务器电源等高算力、高功率设备进行专项优化，满足长时间高负载运行需求。AI 与服务器器件功率密度高、发热集中，传统焊料难以兼顾散热与可靠性，而该银膏烧结后热阻低、散热快，，让算力稳定输出。其高导电特性支持大电流传输，适合大功率电源模块使用，减少发热与损耗。同时，材料抗老化、抗电迁移性能优异，可满足 7×24 小时不间断工作要求，长期使用性能衰减小。在数据中心、云计算设备等关键领域，聚峰烧结银膏可提升器件可靠性与寿命，为算力基础设施提供坚实材料后盾。

聚峰烧结银膏针对 SiC、GaN 等宽禁带功率器件的特性专项研发，匹配其高功率、高频率、耐高温的工作需求。该材料凭借超高导热率与优异的高温稳定性，能导出器件工作时产生的大量热量，解决大功率运行下的散热瓶颈；同时以界面连接，保证器件在高频、高负载工况下的电气与机械稳定性。其专为宽禁带器件优化的配方，能充分发挥 SiC、GaN 器件的性能优势，助力新能源汽车、智能电网等领域的功率器件向更高功率、更高效率方向发展，成为宽禁带半导体封装的关键支撑材料。烧结纳米银膏采用无压 / 低压工艺，适配精密芯片封装，减少加工压力对芯片的损伤。

聚峰烧结银膏通过优化粘结剂与表面处理技术，具备优异的基材适配性与附着力，可牢固附着于陶瓷、硅片、氧化铝、氮化铝等多种电子封装常用基材表面。烧结后银层与基材界面结合紧密，无分层、剥离现象，能适应不同基材的热膨胀系数差异，在温度变化时依旧保持连接稳定。从陶瓷基功率模块到硅基芯片封装，从高频通信基板到工业电子组件，聚峰烧结银膏凭借基材适配能力，覆盖多场景电子封装需求，为不同类型器件的组装提供灵活可靠的导电连接方案。较传统焊锡膏，烧结银连接寿命更长，高温可靠性与抗电迁移能力突出。东莞有压烧结纳米银膏

纳米烧结银膏无铅无卤配方，符合 RoHS 标准，助力电子制造绿色化升级。上海低温烧结银膏

烧结纳米银膏的主要优势在于烧结后超高的致密度，通过纳米银颗粒的融合，银层致密度可超 90%，内部孔隙率极低，形成连续贯通的导电与导热通路。这种高致密度结构让银层同时具备优异的导电性能与导热性能，既能很快地传输电子信号，又能很快的散发器件工作产生的热量，避免热量积聚导致的性能衰减。在大功率器件、高频模块、高集成度芯片等场景中，高致密度的纳米银膏烧结层可同步解决导电与散热难题，提升器件工作效率与运行稳定性。上海低温烧结银膏