SPS POLOS µ以桌面化设计降低设备投入成本,无需掩膜制备费用。其光束引擎通过压电驱动快速扫描,单次写入区域达400 µm,支持光刻胶如AZ5214E的高效曝光。研究案例显示,该设备成功制备了间距3 µm的微图案阵列和叉指电容器,助力纳米材料与柔性电子器件的快速原型验证。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。德国 SPS Polos:深耕微纳加工 35 年,专注半导体与生命科学领域,全球布局 6 大技术中心,服务 500 + 科研机构。河北德国POLOS光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模

Polos系列通过无掩模技术减少化学废料产生,同时低能耗设计(如固态激光光源)符合绿色实验室标准。例如,其光源系统较传统DUV光刻机能耗降低30%,助力科研机构实现碳中和目标。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。天津BEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米技术Benchmark:Polos-µPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品,推动无掩模光刻技术普及。

德国Polos-BESM系列光刻机采用无掩模激光直写技术,突破传统光刻对物理掩膜的依赖,支持用户通过软件直接输入任意图案进行快速曝光。其亚微米分辨率(most小线宽0.8 µm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圆上实现高精度微纳结构加工18。系统体积紧凑,only占桌面空间,搭配闭环自动对焦(1秒完成)和半自动多层对准功能,大幅提升实验室原型开发效率,适用于微流体芯片设计、电子元件制造等领域。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。
石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移,Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO₂基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列,成功制备出石墨烯场效应晶体管,其电子迁移率达 2×10⁵ cm²/(V・s),接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结,使器件研发效率提升 5 倍,相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。光学超材料突破:光子晶体结构precise制造,赋能超透镜与隐身技术研究。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻机开发了基于阻变存储器(RRAM)的存算一体架构。其激光直写技术在 10nm 厚度的 HfO₂介质层上实现了 5nm 的电极边缘控制,器件的电导均匀性提升至 95%,计算能效比达 10TOPS/W,较传统 GPU 提升两个数量级。基于该技术的边缘 AI 芯片,在图像识别任务中能耗降低 80%,推理速度提升 3 倍,已应用于智能摄像头和无人机避障系统,相关芯片出货量突破百万片。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。POLOS µ:超紧凑设计,纳米级精度专攻微流控与细胞芯片。广东德国PSP-POLOS光刻机MAX层厚可达到10微米
多材料兼容性:同步加工陶瓷 / PDMS / 金属,微流控芯片集成电极与通道一步成型。河北德国POLOS光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
无掩模激光光刻技术为研究实验室提供了一种多功能的纳米/微米光刻工具,可用于创建亚微米级特征,并促进电路和器件的快速原型设计。经济高效的桌面配置使研究人员和行业从业者无需复杂的基础设施和设备即可使用光刻技术。应用范围扩展至微机电系统 (MEM)、生物医学设备和微电子器件的设计和制造,例如以下领域:医疗(包括微流体)、半导体、电子、生物技术和生命科学、先进材料研究。全球无掩模光刻系统市场规模预计在 2022 年达到 3.3606 亿美元,预计到 2028 年将增长至 5.0143 亿美元,复合年增长率为 6.90%。由于对 5G、AIoT、物联网以及半导体电路性能和能耗优化的需求不断增长,预计未来几十年光刻市场将持续增长。河北德国POLOS光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
某材料实验室利用 Polos 光刻机的亚微米级图案化能力,在铝合金表面制备出仿荷叶结构的超疏水涂层。其激光直写技术在 20μm 间距的微柱阵列上叠加 500nm 的纳米脊,使材料表面接触角达 165°,滚动角小于 3°。该涂层在海水环境中浸泡 30 天后,防腐蚀性能较未处理表面提升 10 倍。其灵活的图案编辑功能还支持在同一样品上实现超疏水与超亲水区域的任意组合,被用于微流控芯片的液滴定向输运,液滴驱动电压降低至传统方法的 1/3。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 ...