测量DDR测试产品介绍

现做一个测试电路，类似于图5，驱动源是一个线性的60Ohms阻抗输出的梯形信号，信号的上升沿和下降沿均为100ps，幅值为1V。此信号源按照图6的三种方式，且其端接一60Ohms的负载，其激励为一800MHz的周期信号。在0.5V这一点，我们观察从信号源到接收端之间的时间延迟，显示出来它们之间的时延差异。其结果如图7所示，在图中只显示了信号的上升沿，从这图中可以很明显的看出，带有四个地过孔环绕的过孔时延同直线相比只有3ps，而在没有地过孔环绕的情况下，其时延是8ps。由此可知，在信号过孔的周围增加地过孔的密度是有帮助的。然而，在4层板的PCB里，这个就显得不是完全的可行性，由于其信号线是靠近电源平面的，这就使得信号的返回路径是由它们之间的耦合程度来决定的。所以，在4层的PCB设计时，为符合电源完整性（powerintegrity）要求，对其耦合程度的控制是相当重要的。什麽是DDR内存？如何测试？测量DDR测试产品介绍

4.时延匹配在做到时延的匹配时，往往会在布线时采用trombone方式走线，另外，在布线时难免会有切换板层的时候，此时就会添加一些过孔。不幸的是，但所有这些弯曲的走线和带过孔的走线，将它们拉直变为等长度理想走线时，此时它们的时延是不等的，

显然，上面讲到的trombone方式在时延方面同直走线的不对等是很好理解的，而带过孔的走线就更加明显了。在中心线长度对等的情况下，trombone走线的时延比直走线的实际延时是要来的小的，而对于带有过孔的走线，时延是要来的大的。这种时延的产生，这里有两种方法去解决它。一种方法是，只需要在EDA工具里进行精确的时延匹配计算，然后控制走线的长度就可以了。而另一种方法是在可接受的范围内，减少不匹配度。对于trombone线，时延的不对等可以通过增大L3的长度而降低，因为并行线间会存在耦合，其详细的结果，可以通过SigXP仿真清楚的看出，L3长度的不同，其结果会有不同的时延，尽可能的加长S的长度，则可以更好的降低时延的不对等。对于微带线来说，L3大于7倍的走线到地的距离是必须的。 河北数字信号DDR测试DDR3总线上的工作时序；

DDR测试

DDR的信号仿真验证由于DDR芯片都是采用BGA封装，密度很高，且分叉、反射非常严重，因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真软件中专门针对DDR的仿真模型库仿真出的通道损耗以及信号波形。仿真出信号波形以后，许多用户需要快速验证仿真出来的波形是否符合DDR相关规范要求。这时，可以把软件仿真出的DDR的时域波形导入到示波器中的DDR测试软件中,并生成相应的一致性测试报告，这样可以保证仿真和测试分析方法的一致，并且便于在仿真阶段就发现可能的信号违规。

    对于DDR源同步操作，必然要求DQS选通信号与DQ数据信号有一定建立时间tDS和保持时间tDH要求，否则会导致接收锁存信号错误，DDR4信号速率达到了，单一比特位宽为，时序裕度也变得越来越小，传统的测量时序的方式在短时间内的采集并找到tDS/tDH差值，无法大概率体现由于ISI等确定性抖动带来的对时序恶化的贡献，也很难准确反映随机抖动Rj的影响。在DDR4的眼图分析中就要考虑这些抖动因素，基于双狄拉克模型分解抖动和噪声的随机性和确定性成分，外推出基于一定误码率下的眼图张度。JEDEC协会在规范中明确了在DDR4中测试误码率为1e-16的眼图轮廓，确保满足在Vcent周围Tdivw时间窗口和Vdivw幅度窗口范围内模板内禁入的要求。 DDR测试信号问题排查；

一种ddr4内存信号测试方法、装置及存储介质技术领域1.本发明涉及计算机测试技术领域，尤其是指一种ddr4内存信号测试方法、装置及存储介质。背景技术：2.为保证服务器的平稳运行以及服务器ddr4内存的完好使用，测量服务器内存的信号完整性是否符合标准已经成了服务器研发过程中必不可少的重要流程。目前服务器主流都是适用ddr4内存，为了保证数据的安全性和可靠性，ddr4链路的测试对服务器存储性能评估有着至关重要的影响。3.目前服务器ddr4信号的测试无法进行正常工作状态的读写分离，只能利用主控芯片进行读写命令来进行相应读或写的测试，效率较低且不能完全反映正常工作状态下的波形，在信号完整性测试上有比较大的风险。用DDR的BGA探头引出测试信号；河北数字信号DDR测试

DDR4信号质量测试 DDR4-DRAM的工作原理分析；测量DDR测试产品介绍

实际的电源完整性是相当复杂的，其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说，目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的，也是比较实际的解决方案。在DDR的设计上有三类电源，它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同，详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和用的一定数量的去耦电容，可以做到电源完整性，其中去耦电容从10nF到10uF大小不同，共有10个左右。另外，表贴电容合适，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加严格的容差性，但是它承载着比较小的电流。显然，它只需要很窄的走线，且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要，所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。然而，对VTT的布线是具有相当大的挑战性，因为它不只要有严格的容差性，而且还有很大的瞬间电流，不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。终，可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。在4层板的PCB里，层之间的间距比较大，从而失去其电源层间的电容优势，所以，去耦电容的数量将增加，尤其是小于10nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。测量DDR测试产品介绍