六、系统的软件功能1、软件安装：系统的采集软件及分析软件一体化设计，支持一键式安装。图11：系统软件安装界面2、软件登录：启动软件后，可选择“采集”、“分析”或“退出”三种模式（如下图12所示）。图12：软件模式界面3、信号采集信号采集界面包括：参数、数字滤波器(LPF、HPF、BPF)及带宽选择、存储路径、项目名设置；TF-Map筛选、开始采集、实时分析、软同步功能选择；同步信息、脉冲波形、PRPD图谱、TF-Map实时显示。如下页的图13所示：图13：信号采集界面（以高频脉冲电流监测法为例）4、图谱筛选根据实时TF-Map，框选噪音及干扰信号，实现信噪分离，如下图14所示：图14：TF-Map筛选界面GZPD-234系列GIS局部放电监测与定位系统分析定位功能。高抗局部放电水平
GZPD-2300系列分布式GIS耐压同步局部放电监测与定位系统基于声电联合监测技术，综合采用特高频、超声波监测技术分析诊断，利用信号强度及信号时延进行快速、精确定位。由于在GIS内部放电或击穿时会产生特高频和超声波信号，由于特高频信号传送距离远，先利用特高频信号特征实现大致定位，再利用超声波的信号特征实现精确定位；采用特高频定位时将两个以上特高频传感器安装在非密封的盆式绝缘子上，根据特高频信号幅度的大小，实现粗略的定位；超声波信号会就近传至GIS外壳并沿外壳传播，只需在GIS壳体上安装超声波传感器即可对该信号进行监测。由于在GIS壳体不同位置所监测到的声波信号的传播时间及信号强度均有所差异，故可根据信号的传播时间差及信号幅度的大小，准确判断放电信号的部位，并且还可通过敲击GIS外壳的方法，进一步验证定位的准确性。进口局部放电分类GZPD系列手持式多功能局部放电监测仪技术参数。
本系统的功能***性、性能先进性和应用***性等经过多年的用户认可和****检测后，整体性能不亚于国际**的Techimp、普睿司曼和欧米克朗等厂商的局部放电监测系统。GZPD-234系列便携式局部放电监测与诊断系统通过中国电力科学研究院、浙江电科院、山东电科院、江苏电科院等****的检测认证后取得了报告证书（各项功能和参数经检测后被认定为“诊断型”），如下图1所示：图1:中国电科院的检测报告（超声波、高频和特高频法三合一的诊断型）
6.1特高频局部放电监测系统分类6.1.1手持式特高频局部放电监测系统一般为手持设备，通过数值、声音及简单图形等相对简单的表达手段，反映被试设备的局部放电特征与强度，比较适合变电现场的快速巡检。6.1.2诊断型特高频局部放电监测系统一般为便携的台式形态，能够更加深入、***、准确反映被试品状态特征的监测系统。诊断型一般系统比较复杂，具备更高性能的传感器，更深入的量值、图谱等表达能力，支持多点同步监测和定位，具备相关图谱数据库和比对分析功能。6.2型号命名产品的型号命名：如GZPD-3/02，GZ表示厂家缩写，PD表示局部放电缩写，3表示产品名为特高频监测法，02指产品通道数。局部放电测试——适用性。
GZPD-234系列GIS局部放电监测与定位系统分析定位功能1、监测分析系统需求分析与示波器的选择GIS局部放电信号的能量分布可达3GHz，但主要集中在300MHz∽1500MHz间，因此采集带宽应至少到1.5GHz，比较好到3GHz。局部放电本身具有一定的随机性，系统具连续多次捕捉随机脉冲信号的能力。2、局部放电信号分析及干扰抑制算法2.1GIS局部放电带电监测信号分析适于现场使用的GIS局部放电带电监测信号分析方法主要包括聚类分析、模式识别和故障定位；聚类又包括频域和时域聚类。2.2信号频率特征分析可以对采集存储的特高频、高频、超声波等完整信号的波形进行时频域变换，对信号的频率成分进行分析，通过信号的频率分量特征进行干扰排除、放电类型辨识、多放电源分离。由于不同来源的放电以及放电与干扰间在信号的频率分布上会有差异，因此通过信号的频率特征分析，能有效区分放电与干扰以及不同来源的放电。特高压振动监测需要什么条件？GIS局部放电湿度要求
GZPD-2300系列分布式GIS耐压同步局部放电监测与定位系统的应用实例。高抗局部放电水平
本系统配置GZPD-23/06型便携式GIS局部放电监测与定位系统可根据需求定制为3至16路局部放电监测通道，并另配有1路噪声监测通道，能够对各个电压等级的GIS、GIL等气体绝缘金属封闭的电力设备进行局部放电的监测和定位等诊断性分析（也可用于短时间的在线监测）。GZPD-234/6型GIS局部放电监测与定位系统本系统由6个特高频传感器、1台6通道信号调理单元、1台4通道高速示波器、示波器**电源及测量信号线组成。各个特高频传感器负责监测局部放电产生的特高频信号，经过信号调理处理后，再用高频电缆将信号输入到高速示波器中；高速示波器根据各个位置的特高频传感器所监测到的信号强弱和信号达到时间的差异，即可精确分析放电发生的部位。高抗局部放电水平
