内蒙古校准DDR3测试

重复步骤6至步骤9,设置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型为 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的时钟网络中含有上拉电阻(R515和R518),在模型赋置界面中找到 这两个电阻，其Device Type都是R0402 47R,可以选中R0402 47R对这类模型统一进行设置, 

(12) 选中R0402 47R后,选择Create ESpice Model...按钮,在弹出的界面中单击OK按 钮，在界面中设置电阻模型后，单击OK按钮赋上电阻模型。

同步骤11、步骤12,将上拉电源处的电容(C583)赋置的电容模型。

上拉电源或下拉到地的电压值可以在菜单中选择LogicIdentify DC Nets..来设置。 DDR3一致性测试的目标是什么？内蒙古校准DDR3测试

还可以给这个Bus设置一个容易区分的名字，例如把这个Byte改为ByteO,这样就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS与Clock的总线关系设置好了。

重复以上操作，依次创建：DQ8〜DQ15、DM1信号；DQS1/NDQS1选通和时钟 CK/NCK的第2个字节Bytel,包括DQ16〜DQ23、DM2信号；DQS2/NDQS2选通和时钟 CK/NCK的第3个字节Byte2,包括DQ24〜DQ31、DM3信号；DQS3/NDQS3选通和时钟 CK/NCK的第4个字节Byte3。

开始创建地址、命令和控制信号，以及时钟信号的时序关系。因为没有多个Rank, 所以本例将把地址命令信号和控制信号合并仿真分析。操作和步骤2大同小异，首先新建一 个Bus,在Signal Names下选中所有的地址、命令和控制信号，在Timing Ref下选中CK/NCK （注意，不要与一列的Clock混淆，Clock列只对应Strobe信号），在Bus Type下拉框中 选择AddCmd,在Edge Type下拉框中选择RiseEdge,将Bus Gro叩的名字改为AddCmdo。 测试服务DDR3测试一致性测试是否可以通过重新插拔DDR3内存模块解决一致性问题？

 如果模型文件放在其他目录下，则可以选择菜单Analyze-Model Browser..,在界面里面单击 Set Search Path按钮，然后在弹出的界面里添加模型文件所在的目录。

选择菜单Analyze —Model Assignment..,在弹出的模型设置界面中找到U100 (Controller)来设置模型。

在模型设置界面中选中U100后，单击Find Model...按钮，在弹出来的界面中删除 工具自认的模型名BGA1295-40,将其用“*”取代，再单击空白处或按下Tab键，在列岀的 模型文件中选中。

单击Load按钮，加载模型。

加载模型后，选择文件下的Controller器件模型，然后单击Assign 按钮，将这个器件模型赋置给U100器件。

· 相关器件的应用手册，ApplicationNote：在这个文档中，厂家一般会提出一些设计建议，甚至参考设计，有时该文档也会作为器件手册的一部分出现在器件手册文档中。但是在资料的搜集和准备中，要注意这些信息是否齐备。

· 参考设计，ReferenceDesign：对于比较复杂的器件，厂商一般会提供一些参考设计，以帮助使用者尽快实现解决方案。有些厂商甚至会直接提供原理图，用户可以根据自己的需求进行更改。

· IBIS 文件：这个对高速设计而言是必需的，获得的方法前面已经讲过。 DDR3一致性测试需要运行多长时间？

DDR 系统概述

DDR 全名为 Double Data Rate SDRAM ，简称为 DDR。DDR 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允许在时钟的上升沿和下降沿读/写数据，因而其数据速率是标准 SDRAM 的两倍，至于地址与控制信号与传统 SDRAM 相同，仍在时钟上升沿进行数据判决。  DDR 与 SDRAM 的对比DDR 是一个总线系统，总线包括地址线、数据信号线以及时钟、控制线等。其中数据信号线可以随着系统吞吐量的带宽而调整，但是必须以字节为单位进行调整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位带宽等。 所示的是 DDR 总线的系统结构，地址和控制总线是单向信号，只能从控制器传向存储芯片，而数据信号则是双向总线。

DDR 总线的系统结构DDR 的地址信号线除了用来寻址以外，还被用做控制命令的一部分，因此，地址线和控制信号统称为地址/控制总线。DDR 中的命令状态真值表。可以看到，DDR 控制器对存储系统的操作，就是通过控制信号的状态和地址信号的组合来完成的。 DDR 系统命令状态真值表 如果DDR3一致性测试失败，是否需要更换整组内存模块？重庆DDR3测试测试流程

DDR3一致性测试期间是否会对数据完整性产生影响？内蒙古校准DDR3测试

多数电子产品，从智能手机、PC到服务器，都用着某种形式的RAM存储设备。由于相 对较低的每比特的成本提供了速度和存储很好的结合，SDRAM作为大多数基于计算机产品 的主流存储器技术被广泛应用于各种高速系统设计中。

DDR是双倍数率的SDRAM内存接口，其规范于2000年由JEDEC （电子工程设计发展 联合协会）发布。随着时钟速率和数据传输速率不断增加带来的性能提升，电子工程师在确 保系统性能指标，或确保系统内部存储器及其控制设备的互操作性方面的挑战越来越大。存 储器子系统的信号完整性早已成为电子工程师重点考虑的棘手问题。 内蒙古校准DDR3测试

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