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DDR5的接收端容限测试

前面我们在介绍USB3.0、PCIe等高速串行总线的测试时提到过很多高速的串行总线由于接收端放置有均衡器,因此需要进行接收容限的测试以验证接收均衡器和CDR在恶劣信号下的表现。对于DDR来说,DDR4及之前的总线接收端还相对比较简单,只是做一些匹配、时延、阈值的调整。但到了DDR5时代(图5.19),由于信号速率更高,因此接收端也开始采用很多高速串行总线中使用的可变增益调整以及均衡器技术,这也使得DDR5测试中必须关注接收均衡器的影响,这是之前的DDR测试中不曾涉及的。 DDR的规范要求进行需求;吉林DDR测试多端口矩阵测试

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在进行接收容限测试时,需要用到多通道的误码仪产生带压力的DQ、DQS等信号。测试中被测件工作在环回模式,DQ引脚接收的数据经被测件转发并通过LBD引脚输出到误码仪的误码检测端口。在测试前需要用示波器对误码仪输出的信号进行校准,如DQS与DQ的时延校准、信号幅度校准、DCD与RJ抖动校准、压力眼校准、均衡校准等。图5.21展示了一整套DDR5接收端容限测试的环境。

克劳德高速数字信号测试实验室

地址:深圳市南山区南头街道中祥路8号君翔达大厦A栋2楼H区 吉林DDR测试多端口矩阵测试DDR测试USB眼图测试设备?

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DDR应用现状随着近十年以来智能手机、智能电视、AI技术的风起云涌,人们对容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和计算机存储器的需求不断提高,DDRSDRAM也不断地响应市场的需求和技术的升级推陈出新。目前,用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已经演进到了DDR5了,但市场上对经典的DDR3SDRAM的需求仍然比较旺盛。测试痛点测试和验证电子设备中的DDR内存,客户一般面临三大难题:如何连接DDR内存管脚;如何探测和验证突发的读写脉冲信号;配置测试系统完成DDR内存一致性测试。

trombone线的时延是受到其并行走线之间的耦合而影响,一种在不需要提高其间距的情况下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth线。显然,sawtooth线比trombone线具有更好的效果。但是,依来看它需要更多的空间。由于各种可能造成时延不同的原因,所以,在实际的设计时,要借助于CAD工具进行严格的计算,从而控制走线的时延匹配。考虑到在图2中6层板上的过孔的因素,当一个地过孔靠近信号过孔放置时,则在时延方面的影响是必须要考虑的。先举个例子,在TOP层的微带线长度是150mils,BOTTOM层的微带线也是150mils,线宽都为4mils,且过孔的参数为:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。DDR信号的眼图模板要求那些定义;

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现做一个测试电路,类似于图5,驱动源是一个线性的60Ohms阻抗输出的梯形信号,信号的上升沿和下降沿均为100ps,幅值为1V。此信号源按照图6的三种方式,且其端接一60Ohms的负载,其激励为一800MHz的周期信号。在0.5V这一点,我们观察从信号源到接收端之间的时间延迟,显示出来它们之间的时延差异。其结果如图7所示,在图中只显示了信号的上升沿,从这图中可以很明显的看出,带有四个地过孔环绕的过孔时延同直线相比只有3ps,而在没有地过孔环绕的情况下,其时延是8ps。由此可知,在信号过孔的周围增加地过孔的密度是有帮助的。然而,在4层板的PCB里,这个就显得不是完全的可行性,由于其信号线是靠近电源平面的,这就使得信号的返回路径是由它们之间的耦合程度来决定的。所以,在4层的PCB设计时,为符合电源完整性(powerintegrity)要求,对其耦合程度的控制是相当重要的。主流DDR内存标准的比较;吉林DDR测试多端口矩阵测试

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4)将Vref的去耦电容靠近Vref管脚摆放;Vtt的去耦电容摆放在远的一个SDRAM外端;VDD的去耦电容需要靠近器件摆放。小电容值的去耦电容需要更靠近器件摆放。正确的去耦设计中,并不是所有的去耦电容都是靠近器件摆放的。所有的去耦电容的管脚都需要扇出后走线,这样可以减少阻抗,通常,两端段的扇出走线会垂直于电容布线。5)当切换平面层时,尽量做到长度匹配和加入一些地过孔,这些事先应该在EDA工具里进行很好的仿真。通常,在时域分析来看,差分线的正负两根线要做到延时匹配,保证其误差在+/-2ps,而其它的信号要做到+/-10ps。吉林DDR测试多端口矩阵测试

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