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正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直， 去胶容易等独特性能，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移及精确地控制光刻图形的尺寸，对曝光时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。 [2]湿法去胶的原理是化学溶解或溶胀，主要步骤包括浸泡或喷淋、反应、冲洗和干燥 [9]。通州区质量光刻胶剥离厂家电话

正性光刻胶也称为正胶。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中，感光剂是光敏化合物，最常见的是重氮萘醌（DNQ）。在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。通州区质量光刻胶剥离厂家电话将硅片浸泡在适当的溶剂中，常用的溶剂包括异丙醇或光刻胶剥离剂。

剥离液的生产、使用及回收处理需遵守国家及地方的环保法规，相关项目需进行环境影响评价并编制环境影响报告书。以合肥中聚和成电子材料有限公司的剥离液生产及回收项目为例，其设计生产规模为生产剥离液新液22577 m³/a、回收生产剥离液再生液7423 m³/a。项目需对生产过程中产生的非甲烷总烃等废气进行收集与处理，例如采用二级活性炭吸附或焚烧炉处理后，经由15米或25米高的排气筒排放。工艺生产过程中不产生废水。产生的固体废物如精馏废液需按规定暂存，并送入厂区配套的焚烧炉自行处理 [12]。

利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术﹐在工件表面制取精密﹑微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知﹐但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代﹐美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后﹐光刻技术才迅速发展起来﹐并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一﹐并已用于刻划光栅﹑线纹尺和度盘等的精密线纹。光刻的基本原理是﹕利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点﹐将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤(见图 光刻示意图)是﹕在反应离子刻蚀（RIE）设备中，通入氧气等离子体，控制功率和时间（如100-300W，5-15分钟）。

常见光刻胶剥离液类型包括有机溶剂型剥离液和碱性剥离液。有机溶剂型剥离液以**、N-甲基吡咯烷酮(NMP)等有机溶剂为主体成分。**对普通光刻胶的溶解能力强，能够快速渗透光刻胶内部，破坏其分子间作用力，使其溶解剥离。NMP则对多种光刻胶树脂具有良好的溶解性，且沸点较高，挥发性较低，在剥离过程中能保持稳定的性能。此类剥离液的优势在于剥离效率高、对基片损伤小，但有机溶剂多具有挥发性和毒性，使用过程中需做好防护，且易造成环境污染。 [9]去胶机的工作原理主要分为湿法去胶和干法去胶两大类 [9]。如皋安装光刻胶剥离价目

降低处理温度，减少对热敏感基底的损伤。通州区质量光刻胶剥离厂家电话

该技术起源于微波GaAs MESFET制造中对亚微米级金属栅的需求，因常规光刻法无法满足长宽比极端的栅结构加工要求而发展，成为该领域**工艺之一。 [2]金属剥离工艺是指一种精细的光刻腐蚀工艺。基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩模，带胶蒸发所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂的同时，把胶膜上的金属一起剥离干净，在基片上只剩下原刻出图形的金属。金属剥离工艺的优点是可获得亚微米图形，而且边缘陡直，图形尺寸精确。该工艺可普遍应用于要求精细光刻图形的半导体器件的制造。 [2]通州区质量光刻胶剥离厂家电话

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