一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们？根据不同的功率输出或后续电路？通常并联两个电容就够了，但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内，电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内，这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。盐城陶瓷贴片电容规格
在较低频率下，较大的电容可以提供低电阻接地路径。一旦这些电容达到自谐振频率，它们的电容特性就消失了，它们变成了具有电感特性的元件。这就是并联使用多个电容的主要原因，可以在很宽的频率范围内保持较低的交流阻抗。芯片电源要求电源稳定，但实际电源不稳定，高频低频干扰混杂。实际电容与理想电容大相径庭，具有RLC三重性质。10uf的电容对低频干扰的过滤效果很好，但对于高频干扰，电容是感性的，阻抗太大无法有效滤除，所以组合一个0.1uf的电容滤除高频成分。如果你的设计要求不高，没必要完全遵守这个规则。盐城陶瓷贴片电容规格MLCC由于其内部结构的优势，其ESR和ESL都具备独特优势。所以陶瓷电容具备更好的高频特性。
具体来说：将电容的两个管脚短路放电，将万用表的黑色表笔接到电解电容的正极。红色探针接负极(对于指针式万用表，使用数字万用表测量时探针是互调的)。正常时，探头应先向低阻方向摆动，然后逐渐回到无穷大。手的摆动幅度越大或返回速度越慢，电容的容量越大；否则，电容器的容量越小。如果指针在中间某处没有变化，说明电容在漏电。如果电阻指示很小或者为零，说明电容已经击穿短路。因为万用表使用的电池电压一般很低，所以使用测量低耐压电容时比较准确，而当电容耐压较高时，虽然测量是正常的，但施加高电压时可能会发生漏电或击穿。
纹波电流容差影响电解电容器性能的较重要参数之一是纹波电流。纹波电流对铝电解电容器的影响主要是由于功耗对ESR的影响，使铝电解电容器发热，从而缩短使用寿命。从特性曲线(图2)可以看出，纹波电流对ESR造成的损耗与纹波电流有效值的平方成正比，所以随着纹波电流的增加，小时寿命曲线类似于抛物线函数曲线。降低纹波电流的方法可以采用更大容量的铝电解电容器。毕竟大容量铝电解电容器比小容量铝电解电容器能承受更大的纹波电流。也可以采用几个小容量铝电解电容并联，也可以选择低纹波电流的电路拓扑。一般来说，反激变换器产生的开关电流相对比较大。表1显示了各种开关转换器电路拓扑结构的滤波电容上的DC电流、整流和滤波纹波电流、开关电流和总纹波电流。液态电解电容采用的介电材料为电解液，而固态电容采用的是导电性高分子。
钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF，大多数情况下，如果满足耐压，我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形式是断裂，这是由片式陶瓷电容器本身介质的脆性决定的。由于片式陶瓷电容焊接直接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而铅制陶瓷电容可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于片式陶瓷电容器，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲，MLCC即多层陶瓷电容器，也可简称为片式电容器、积层电容、叠层电容等，属于陶瓷电容器的一种。盐城陶瓷贴片电容规格
电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、nF、pF（皮法）。盐城陶瓷贴片电容规格
MLCC电容器的生产工艺非常严谨，每个细节都是不可忽视的关键。这些细致的工序是保证产品质量的关键。无论任何一个细节，都必须严格按照生产工艺进行，保证每一个细节都能做到精细，这样才能保证电容器的质量，保证电容器的误差小。层压：层压棒，棒用层压袋包装，抽真空封装后，用等静压加压，使棒内各层结合更紧密。切割：将层叠棒切割成的电容器生坯。出胶：将绿色电容放在烤盘上，按照一定的温度曲线进行高温烘烤(最高温度一般在400左右)，去除芯片中的粘合剂等有机物。脱胶功能：1)去除芯片中的粘性有机物，避免烧成时有机物快速挥发造成产品脱层、开裂，保证烧成所需形状的完整瓷件。2)消除烧制过程中粘合剂的还原作用。烧结：脱胶后的芯片经过高温处理，烧结温度一般在1140-1340之间，使其成为机械强度高、电性能优良的陶瓷体。盐城陶瓷贴片电容规格
