所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv,负极连接所述漏极管脚drain。如图2所示,所述一采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于高压线性(3w~12w)。实施例二如图3所示,本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与实施例一的不同之处在于,所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df,且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示,在本实施例中,所述高压续流二极管df采用n型二极管,所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极通过金属引线连接漏极基岛15,进而实现与所述漏极管脚drain的连接。需要说明的是,所述高压续流二极管df也可采用p型二极管,粘接于漏极基岛15上,在此不一一赘述。如图3所示,所述功率开关管121的漏极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上,源极s通过金属引线连接所述采样管脚cs。所述逻辑电路122为芯片结构,其底面为绝缘材料,设置于所述信号地基岛14上,控制信号输出端out通过金属引线连接所述功率开关管121的栅极g,采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。晶闸管智能模块指的是一种特殊的模板,采用了采用全数字移相触发集成电路。云南整流桥模块咨询报价
以上就是ASEMI对于整流桥接法的两个方面介绍正、负极性全波整流电路及故障处理如图9-24所示是能够输出正、负极性单向脉动直流电压的全波整流电路。电路中的T1是电源变压器,它的次级线圈有一个中心抽头,抽头接地。电路由两组全波整流电路构成,VD2和VD4构成一组正极性全波整流电路,VD1和VD3构成另一组负极性全波整流电路,两组全波整流电路共用次级线圈。图9-24输出正、负极性直流电压的全波整流电路1.电路分析方法关于正、负极性全波整流电路分析方法说明下列2点:(1)在确定了电路结构之后,电路分析方法和普通的全波整流电路一样,只是需要分别分析两组不同极性全波整流电路,如果已经掌握了全波整流电路的工作原理,则只需要确定两组全波整流电路的组成,而不必具体分析电路。(2)确定整流电路输出电压极性的方法是:两二极管负极相连的是正极性输出端(VD2和VD4连接端),两二极管正极相连的是负极性输出端(VD1和VD3连接端)。2.电路工作原理分析如表9-28所示是这一正、负极性全波整流电路的工作原理解说。3.故障检测方法关于这一电路的故障检测方法说明下列几点:(1)如果正极性和负极性直流输出电压都不正常时,可以不必检查整流二极管。云南整流桥模块咨询报价将交流电转为直流电的电能转换形式称为整流(AC/DC变换),所用电器称为整流器,对应电路称为整流电路。
1、铝基导热底板:其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的结构基础。因此,它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数铝为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相差较大,为此,除需采用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊成品,能在模块装置到散热器上时,使它们之间有充分的接触,从而降低模块的接触热阻,保证模块的出力。2、DBC基板:它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成,它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性,并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4.2×10-6/℃,DBC为5.6×10-6/℃),因而可以与硅芯片直接焊接,从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时,DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形,以用作主电路端子和控制端子的焊接支架,并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘,使模块具有有效值为2.5kV以上的绝缘耐压。3、电力半导体芯片:超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护,并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶,并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂。
本实用新型属于电磁阀技术领域,尤其是涉及一种电磁阀的带整流桥绕组塑封机构。背景技术:大多数家用电器上使用的需要实现全波整流功能的进水电磁阀,普遍将整流桥堆设置在电脑板等外部设备上,占用了电脑板上有限的空间,造成制造成本偏高,且有一定的故障率,一旦整流桥堆失效,整块电脑板都将报废。虽然目前市场上出现了内嵌整流桥堆的进水电磁阀,但有些由于绕组塑封的结构不合理,金属件之间的爬电距离设置过小,导致产品的电气性能较差,安全性较差,在一些严酷条件下使用很容易损坏塑封,引起产品失效,严重的会烧毁家用电器;有些由于工艺过于复杂,桥堆跟线圈在同一侧,导致桥堆在线圈发热时损伤。技术实现要素:本实用新型为了克服现有技术的不足,提供一种电气性能和可靠性高的电磁阀的带整流桥绕组塑封机构。为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种电磁阀的带整流桥绕组塑封机构,包括线圈架、设于所述线圈架上的绕组、设于所述线圈架上的插片组件及套设于所述线圈架外的塑封壳,所述插片组件设于线圈架上部的一插片和与所述线圈架上部插接配合的多个第二插片;所述一插片与所述第二插片通过整流桥堆电连。推荐的,所述一插片为两个。推荐的。一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路。
这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线,而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点,FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极),并利用DBC基板的刻蚀图形,使焊接简化。同时,所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上,这样使连线减少,模块可靠性提高。4、外壳:壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的,并加有40%玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成,它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题,通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔,实现上下壳体的结构连接,以达到较高的防护强度和气闭密封,并为主电极引出提供支撑。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。云南整流桥模块咨询报价
四个引脚中,两个直流输出端标有+或-,两个交流输入端有~标记。云南整流桥模块咨询报价
所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上,接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd,漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain,采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs,高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构,将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内,由此降低封装成本。如图6所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:本实施例的合封整流桥的封装结构1,第四电容c4,变压器,二极管d,第五电容c5,负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图6所示,所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图6所示,所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。云南整流桥模块咨询报价