在高动态环境中，设备位置、速度变化极快，若信号牵引与重捕耗时过长，很容易导致定位 “跟丢”，比如高速飞行的无人机、急加速的自动驾驶车辆，传统芯片可能因牵引延迟出现定位中断。而知码芯导航 soc 芯片凭借优化的 2 阶 FLL+3 阶 PLL 架构，实现了小于 450ms 的快速牵引与1s 的实锁重捕定位，大幅缩短信号锁定时间。“快速牵引”... 【查看详情】

知码芯导航定位soc芯片在硬件设计上展现了强悍的技术实力，采用了高性能的北斗、GPS 卫星频段射频接收链路，这是实现高动态定位的关键硬件基础 。其中，低噪声放大器作为信号接收的首站，其性能直接影响着整个接收链路的灵敏度。我们的低噪声放大器具备极低的噪声系数，能够在将微弱的卫星信号放大的同时，极大程度地减少了自身引入的噪声，为后续的信号处理... 【查看详情】

知码芯北斗三代多模高动态特种soc芯片使用采用高质量滤波器。滤波器如同信号的 “净化器”，能够精确地筛选出所需的卫星信号频段，去除其他频段的干扰信号，保证信号的纯净度 。无论是窄带干扰还是宽带噪声，滤波器都能将其有效滤除，为后续的信号处理提供干净、准确的信号。ADC（模拟数字转换器）及 AGC（自动增益控制）等组件也都具有很高的技术指标。... 【查看详情】

天线是卫导设备接收卫星信号的 “头道关口”，若天线接收的信号载噪比（信号与噪声的比值）不稳定，即使芯片性能再强，也会因 “信号源头质量差” 导致定位精度波动。为解决这一问题，知码芯高稳定性soc 芯片配套的天线进行了专项修改优化，目标是大幅提升载噪比一致性。优化后的天线采用更精确的信号接收结构，减少信号反射、干扰，让接收的卫星信号更纯净；... 【查看详情】

天线是卫导设备接收卫星信号的 “头道关口”，若天线接收的信号载噪比（信号与噪声的比值）不稳定，即使芯片性能再强，也会因 “信号源头质量差” 导致定位精度波动。为解决这一问题，知码芯高稳定性soc 芯片配套的天线进行了专项修改优化，目标是大幅提升载噪比一致性。优化后的天线采用更精确的信号接收结构，减少信号反射、干扰，让接收的卫星信号更纯净；... 【查看详情】

在产品研发上，知码芯聚焦市场需求，打造了多款具有**竞争力的国产芯片产品。针对北斗导航领域，推出 1308 多通道北斗射频抗干扰芯片，集成八个通道和一个本振，支持多频段射频输入，为北斗导航接收机提供稳定可靠的抗干扰解决方案；面向电源管理国产化替代需求，研发的 LM138 三端可调式正压稳压器，输入电压范围 3.7V-40V，输出电压 1.... 【查看详情】

对于航空航天、特种电子等领域而言，芯片的可靠性就是生命线。知码芯深刻理解这份重托，建立起覆盖芯片“设计-验证-封装-应用”全生命周期的可靠性保障体系，为国产芯片的稳定运行保驾护航。在研发设计阶段，知码芯便遵循“定位很重要”的理念，严格对标国际及行业标准。通过全流程电路仿真与建模，从器件级到系统级进行精细性能预测与优化，从源头提升电路可靠性... 【查看详情】

知码芯基于自主研发的创新技术，针对不同行业的需求特点，开发出多系列、多规格的soc芯片产品——既有适配移动终端设备的高性能soc芯片，能满足复杂计算、高速数据处理需求；也有面向物联网、智能终端的低功耗soc芯片，可大幅延长设备续航；还有针对特种领域的高可靠soc芯片，具备抗干扰、防泄露等特殊功能。丰富的产品矩阵，让不同行业、不同规模的... 【查看详情】

电源与信号补偿：从源头杜绝参数漂移，保障电路稳定。 电压波动是影响 Soc 芯片模拟电路性能的常见问题，一旦电压不稳定，很容易导致芯片参数漂移，进而影响设备正常运行。而知码芯导航Soc 芯片在设计之初，就充分考虑到这一痛点，集成了电源稳压电路和温度补偿技术。电源稳压电路能有效抵消外界电压波动对芯片内部模拟电路的影响，确保电路始终... 【查看详情】

低功耗黑科技，延长设备续航“生命线”。 在移动设备和物联网设备领域，续航能力是用户关注的主要痛点之一。知码芯Soc芯片依托28nmCMOS工艺的技术优势，通过减小晶体管尺寸，大幅降低了芯片每次运算所需的能量消耗，从源头实现了“高能效比”突破。同时，28nm工艺创新性引入High-K材料和GateLast处理技术：High-K材料... 【查看详情】

一家芯片公司的真正实力，源于其研发团队的深度与技术积累的厚度。知码芯作为国产芯片领域的深耕者，拥有一支由80余名专业工程师组成的精锐之师。团队成员来自各大科研院所，并汇聚了拥有十年以上半导体芯片设计经验的行业高级人才，是公司宝贵的财富。这支专业团队是知码芯“以持续创新为动力”价值观的生动体现。他们累计已完成30余个高性能芯片设计项目，技术... 【查看详情】

低功耗黑科技，延长设备续航“生命线”。 在移动设备和物联网设备领域，续航能力是用户关注的主要痛点之一。知码芯Soc芯片依托28nmCMOS工艺的技术优势，通过减小晶体管尺寸，大幅降低了芯片每次运算所需的能量消耗，从源头实现了“高能效比”突破。同时，28nm工艺创新性引入High-K材料和GateLast处理技术：High-K材料... 【查看详情】