1、“给定”电位器旋钮逆时针到底置**小位置,2SA 按钮置“停机”位置,此时无输出电 压。再断开交流接触器,运行指示灯暗,然后切断电源。2、整流柜面板上调节电压作为“给定” 。3、“稳流”或“稳压”通过 1SA 按钮转换。4、调节电流作为调节板上的偏置电压,设定后电位器就不再调整。1、当晶闸管过热时,快速熔断器熔断,发出警报号,电笛响,...
查看详细 >>(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。(六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。按一机部IBI14...
查看详细 >>要使晶闸管从导通状态转变回阻断状态,需要使阳极电流减小到维持电流以下,或者使阳极电压变为反向。二、类型与特点类型:单向可控硅:具有单向导电性,常用于直流或单向交流电路的控制。双向可控硅(TRIAC):相当于两个单向可控硅反向连接,具有双向导通功能,适用于交流电路的控制。可关断晶闸管(GTO):具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流...
查看详细 >>在输出波形图中,N相平直虚线是整流滤波后的平均输出电压值。虚线以下和各正弦波的交点以上(细虚线以上)的小脉动波是整流后未经滤波的输出电压波形。图二是三相全波整流桥的电路图(带电容)。三相半波整流桥半桥是将连接好的3个整流二极管(和一个电容器)封装在一起,组成一个桥式、半波整流电路。三相半波整流桥必须输入电源的零线(中性线)。图三在半波整流...
查看详细 >>5. ih:**小维持电流在室温下,控制极开路、晶闸管被触发导通后,维持导通状态所必须的**小电流。一般为几十到一百多毫安。 6. ug、ig:控制极触发电压和电流 在室温下, 阳极电压为直流 6v 时,使晶闸管完全导通所必须的**小控制极直流电压、电流 。一般ug为 1~5v,ig 为几十到几百毫安。普通晶闸管的主要缺点:过流、过压...
查看详细 >>一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管**重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管**重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流...
查看详细 >>TCR的作用就像一个可变电纳,改变触发角就可以改变电纳值,因为所加的交流电压是恒定的,改变电纳值就可以改变基波电流,从而导致电抗器吸收无功功率的变化。但是,当触发角超过90°以后,电流变为非正弦的,随之就产生谐波。如果两个晶闸管在正半波和负半波对称触发,就只会产生奇次谐波。谐波可以通过对较高频率分量的傅里叶分析得到。由于在电力系统应用中要...
查看详细 >>4、各种保护功能相对**,保护定值、实现、闭锁条件和保护投退可**整定和配制。5、保护功能实现不依赖于通讯网络,满足电力系统保护的可靠性。整流变压器微机保护装置具备进线保护、出现保护,分段保护、配变保护、电动机保护、电容器保护、主变后备保护、发电机后备保护、PT监控保护等保护功能。技术参数额定功率:50/60(KVA)效 率(η):98%...
查看详细 >>保护装置整流变压器微机保护装置是由高集成度、总线不出芯片单片机、高精度电流电压互感器、高绝缘强度出口中间继电器、高可靠开关电源模块等部件组成。是用于测量、控制、保护、通讯为一体化的一种经济型保护。整流变压器微机保护装置的优点1、可以满足库存配制有二十几种保护,满足用户对不同电气设备或线路保护要求。2、用于可根椐实际运行的需要配制相应保护,...
查看详细 >>将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极(D),红表笔接IGBT 的源极(S),此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值 较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G),这时IGBT 被阻 断,万用表的指针回到无穷...
查看详细 >>IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感...
查看详细 >>册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷:如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的认为Cin=4.5Cies,门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : I...
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