单相整流电路比较简单,对触发电路的要求较低,相位同步问题很简单,调整也比较容易。但它的输出直流电压的纹波系数较大。由于它接在电网的一相上,易造成电网负载不平衡,所以一般只用于4kW以下的中小容量的设备...
查看详细文中设计的电路利用RC充放电电路来实现这一功能。图2是一种利用普通的脉宽调制PWM芯片结合外围电路来搭建可控硅调光的LED驱动电路框图。维持电流补偿电路通过检测R1端电压(即输入电流)来控制流过维持电...
查看详细IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图,其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒...
查看详细2023年5月,新加坡—麻省理工学院研究与技术联盟的科学家开发了世界上**小的LED(发光二极管)。 [10]2024年2月5日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所团队深挖机理、创新工艺,制备出一款高...
查看详细变压器次级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内,e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻R...
查看详细反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为...
查看详细四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有产品型号的后缀字母(型号***一个字母)带“W”的,均为“三象限双向...
查看详细实验及结果根据以上分析,本文设计一台基于反激变换器的可控硅调光LED驱动器,控制芯片为NCP1607;输入交流电压220V,最大输出功率为25W,比较大输出电流为0.7A;以3串(每串10只0.8W的...
查看详细控 制:Controlled(取***个字母)整流器:Rectifier(取***个字母)再由这三组英文名词的较早字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如...
查看详细移相全桥 PWM DC/DC 变换器基本的全桥电路结构基本的 DC/DC 全桥变换器由全桥逆变器和输出整流滤波电路构成,右图 显示了PWM DC/DC 全桥变换器的电路基本拓扑结构及主要波形。Vin是...
查看详细IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--...
查看详细额定速态平均屯成系列共分为14个,如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级,1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志,如表1-6所示。...
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