在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它...
查看详细IGBT驱动:IGBT常被用于中大功率数字电源开发,其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动,负压关断可以避免误导通风险,加快关断速度,减小关断损耗。IGBT的驱动电路一...
查看详细推挽驱动是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器(有OTL、OCL等)。是两个参数相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的...
查看详细常用的红外发光二极管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外发光二极管基于半导体材料的紫外发光二极管(UV LED)具有节能、环保和寿命长等优点,在杀菌消毒、医疗和...
查看详细a)驱动器靠近IGBT减小引线长度;b) 驱动的栅射极引线绞合,并且不要用过粗的线;c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近;d) 栅极电阻使用无感电阻;e) 如果是有感电阻,可以用几个并联以减小...
查看详细在理想情况下,电路在任何时刻都必须有两个晶闸管导通,一个是共阳极组的,另一个是共阴级组的,只有它们同时导通才能形成导电回路。T1、T2、T3、T4、T5、T6的触发脉冲互差60°。因此,电路每隔60°...
查看详细五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。(六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。(七)非过零触发-无论交...
查看详细紫外发光二极管是氮化物技术发展和第三代半导体材料技术发展的主要趋势,拥有广阔的应用前景。中国科技部为了加快第三代半导体固态紫外光源的发展,争施了“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”重点研发计...
查看详细可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功...
查看详细变色发光二极管按引脚数量可分为二端变色发光二极管、三端变色发光二极管、四端变色发光二极管和六端变色发光二极管。闪烁发光二极管闪烁发光二极管(BTS)是一种由CMOS集成电路和发光二极管组成的特殊发光器...
查看详细五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。(六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。(七)非过零触发-无论交...
查看详细整流:调整气流、水流或电流的形态,或能对气流、水流或电流的形态进行调整。在电力电子方面:将交流电变换为直流电称为AC/DC变换,这种变换的功率流向是由电源传向负载,称之为整流 [1]。整流电路是利用二...
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