在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗***增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅...

2025/05/15 查看详细

门极驱动功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驱动器总功率 P = PG + PS（驱动器的功耗）平均输出电流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比较高开关频率 fSW max...

2025/05/15 查看详细

检测光敏二极管，可用万用表Rx1k电阻档。当没有光照射在光敏二极管时，它和普通的二极管一样，具有单向导电作用。正向电阻为8-9kΩ，反向电阻大于5MΩ。如果不知道光敏二极管的正负极，可用测量普通二极管正、负极的办法来确定，当测正向电阻时，黑表笔接的就是光敏二极...

2025/05/15 查看详细

1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个...

2025/05/15 查看详细

a)驱动器靠近IGBT减小引线长度；b) 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线；c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近；d) 栅极电阻使用无感电阻；e) 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。2、IGBT 开通和关断选取不同的栅极电阻通常为达到更...

2025/05/14 查看详细

测量方法鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都...

2025/05/14 查看详细

MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在...

2025/05/14 查看详细

2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，比较好给处于截止状态的IGBT加一反向...

2025/05/14 查看详细

高亮度单色发光二极管高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管使用的半导体材料与普通单色发光二极管不同，所以发光的强度也不同。通常，高亮度单色发光二极管使用砷铝化镓（GaAlAs）等材料，超高亮度单色发光二极管使用磷铟砷化镓（GaAsInP）等材料，而普通单...

2025/05/14 查看详细

按引出方式二级电路分中点引出整流电路，桥式整流电路，带平衡电抗器整流电路，环形整流电路，十二相整流电路1）中点引出整流电路分：单脉波（单相半波），两脉波（单相全波），三脉波（三相半波），六脉波（三相全波）2）桥式整流电路分：两脉波（单相）桥式，六脉波（三相）桥...

2025/05/14 查看详细

驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高，容易**扰，故驱动电路应具有良好的电气隔离性能，以实现主电路与控制电路之间的隔离，使之具有较强的抗干扰能力，避免功率级电路对控制信号的干扰。光...

2025/05/14 查看详细

无触点开关可控硅一个关键用途在于做为无触点开关。在自动化设备中,用无触点开关代替通用继电器已被逐步应用。其***特点是无噪音,寿命长。可控硅***阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和***阳极A1间加有正负极性不同的触发电压...

2025/05/13 查看详细