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  • 上海特点驱动电路现价

    在需要使用比较多的led产品时,如果将所有的LED串联,将需要LED驱动器输出较高的电压:如果将所有的LED并联,则需要LED驱动器输出较大的电流。将所有的LED串联或并联,不但限制着LED的严使用量,而且并联LED负载电流较大,驱动器的成本也会增加,解决办法...

    2025/11/29 查看详细
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    2025/11
  • 虹口区制造可控硅售价

    这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看,双向可控硅和普通可控硅很相似,也有三个电极。但是,它除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极,...

    2025/11/29 查看详细
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    2025/11
  • 宝山区好的二极管售价

    检测光敏二极管,可用万用表Rx1k电阻档。当没有光照射在光敏二极管时,它和普通的二极管一样,具有单向导电作用。正向电阻为8-9kΩ,反向电阻大于5MΩ。如果不知道光敏二极管的正负极,可用测量普通二极管正、负极的办法来确定,当测正向电阻时,黑表笔接的就是光敏二极...

    2025/11/29 查看详细
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    2025/11
  • 松江区质量二极管生产企业

    PN结形成原理P型和N型半导体P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这...

    2025/11/29 查看详细
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    2025/11
  • 普陀区特点驱动电路图片

    在需要使用比较多的led产品时,如果将所有的LED串联,将需要LED驱动器输出较高的电压:如果将所有的LED并联,则需要LED驱动器输出较大的电流。将所有的LED串联或并联,不但限制着LED的严使用量,而且并联LED负载电流较大,驱动器的成本也会增加,解决办法...

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    2025/11
  • 徐汇区国产二极管设计

    当测量带环极的光敏二极管时,环极和后极(正极)也相当一个光敏二极管,其性能也具有单向导电作用和见光后反向电阻**下降。区分环极和前极的办法是,在反向连接情况下,让不太强的光照在光敏二极管上,阻值略小的是前极,阻值略大的是环极。 [1]PN结型光电二极管与其他类...

    2025/11/28 查看详细
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    2025/11
  • 杨浦区特点驱动电路设计

    非隔离驱动电路:不具有电气隔离结构,多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。按常见形式分类:直接驱动:由单个电子元器件(如二极管、三极管、电阻、电容等)连接起来组成的驱动电路,多用于功能简单的小功率驱动场合。隔离驱动:电路包含隔离器件,常用的有光耦驱动、...

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    2025/11
  • 长宁区通用整流桥售价

    按组成器件可分为不可控电路、半控电路、全控电路三种1)不可控整流电路完全由不可控二极管组成,电路结构一定之后其直流整流电压和交流电源电压值的比是固定不变的。2)半控整流电路由可控元件和二极管混合组成,在这种电路中,负载电源极性不能改变,但平均值可以调节。3)在...

    2025/11/28 查看详细
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    2025/11
  • 浦东新区特点可控硅量大从优

    从晶闸管的内部分析工作过程:晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管.当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。中每个晶...

    2025/11/28 查看详细
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    2025/11
  • 黄浦区特点可控硅现价

    可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib1)这一电流远大于Ib1,足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失,可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea,使...

    2025/11/28 查看详细
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    2025/11
  • 杨浦区特点整流桥图片

    需要特别指出的是,二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。异常整流(anomalous rectification)内向的整流作用。即指在膜上通电的时候,内向的电流易于流...

    2025/11/28 查看详细
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    2025/11
  • 嘉定区特点二极管销售厂

    反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击...

    2025/11/28 查看详细
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    2025/11
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