学习目标：能正确识别、选择、安装、使用低压熔断器,掌握其功能、基本结构、工作原理及型号含义,熟记其图形符号和文字符号一、熔断器的结构与主要技术参数1.熔断器的结构熔体是熔断器的**，常做成丝状、片状或栅状，制作熔体的材料一般有铅锡合金、锌、铜、银等。熔管是熔体的保护外壳,用耐热绝缘材料制成,在熔体熔断时兼有灭弧作用。熔座是熔断器的底座，作...

二极管种类、作用、实物大全整流二极管二极管电路中，整流二极管的应用为常见。所谓整流二极管就是专门用于电源电路中将交流电转换成单向脉动直流电的二极管。快恢复整流二极管整流二极管-硅管整流二极管-三相整流桥整流二极管-汽车用整流二极管-汽车用整流二极管-雪崩管整流桥整流二极管-高频整流二极管-高频稳压二极管也称齐纳二极管，或称反向击穿二极管。...

早期原始型态的保险丝，直接以螺丝锁定，用于各种尺寸的旧式开关、插座。车用片状保险丝2、片状（裸片状）。比旧式丝状方便使用。3、玻璃管状。有几种不同尺寸，常见于电子产品。x32mm（直径x长度）5x20mm4、陶瓷管状。有几种不同形状及尺寸，可避免玻璃爆裂。5、塑胶片状带金属片状接脚：汽车保险丝。6、表面接着元件（SMD）型。7、圆柱体状，...

1、铝基导热底板：其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道，并作为整个模块的结构基础。因此，它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接，又因它们之间热线性膨胀系数铝为16．7×10-6／℃，DBC约不5．6×10-6／℃)相差较大，为此，除需采用掺磷、镁的铜银合金外，并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯，...

学习目标：能正确识别、选择、安装、使用低压熔断器,掌握其功能、基本结构、工作原理及型号含义,熟记其图形符号和文字符号一、熔断器的结构与主要技术参数1.熔断器的结构熔体是熔断器的**，常做成丝状、片状或栅状，制作熔体的材料一般有铅锡合金、锌、铜、银等。熔管是熔体的保护外壳,用耐热绝缘材料制成,在熔体熔断时兼有灭弧作用。熔座是熔断器的底座，作...

④电压相等（允许电压偏差不大于10%）。2）停用并列点断路器的重合闸连接片。3）进行解列操作时，应将解列点的有功潮流调至零，无功调至**小，应防止操作过电压（电压波动不大于10%）。解列后检查各系统电压、频率是否正常。5．倒闸操作的技术要求（1）断路器操作：1）一般情况下，电动合闸的断路器，不应手动合闸。2）远方操作断路器时，操作控制开关...

材质要相同、几何尺寸要相同、电阻值尽可能地小且要一致，**重要的是熔断特性要一致，家用保险丝常用铅锑合金制成；二是电极部分，通常有两个，它是熔体与电路联接的重要部件，它必须有良管状保险丝好的导电性，不应产生明显的安装接触电阻；三是支架部分，保险丝的熔体一般都纤细柔软的，支架的作用就是将熔体固定并使三个部分成为刚性的整体便于安装、使用，它必...

如果保险丝跌落或振动，则应检查保险丝的电阻值。（2）户外熔断器应安装在水平荷载或框架上，垂直距离不小于400米。（3）安装：拧紧保险丝（熔体是），注意引信上标记的冲击器的方向，锁紧环上的弹簧环和螺栓。2.高压熔断器的运行与维护（1）按规程要求选择合格产品及配件，在操作过程中经常检查接触是否良好，接触点的温升校核得到加强。（2）熔断器熔化后...

适应多于六个晶闸管元件的各种大型可控整流设备。具有完善故障、报警检测和保护功能。实时检测过流、过压、反馈丢失、控制板内部故障。设有开机给定回零、软启动、截流、截压、急停保护。调试简便，数控板调试不用示波器和万用表。每一块控制板均经过了严格的软件测试、硬件老化，以确保工作稳定可靠。三相晶闸管触发板适用电路①三相全控桥式可控整流电路。②带平衡...

便于根据线路的大小调节固定带的长度，固定完毕后，将托板由滑块在第三凹槽内部滑动，滑动到孔洞位置时，对托板进行固定；3、该低压供配电变电装置设置有固定腿和散热风扇，通过安装在滤网盖底部的固定腿，将固定腿塞入柜体内壁中，卡扣通过卡扣底部的弹簧与滑动槽构成滑动结构，从而使卡扣在卡扣底部弹簧的作用下在滑动槽内部进行滑动，固定腿与卡扣构成卡合结构，...

人们在制造工艺和结构上采取了一些改进措施，做出了能适应于高频应用的晶闸管，我们将它称为快速晶闸管。它具有以下几个特点。一、关断时间（toff）短导通的晶闸管，当切断正向电流时。并不能马上“关断”，这时如立即加上正向电压，它还会继续导通。从切断正向电流直到控制极恢复控制能力需要的时间，叫做关断时间。用t0仟表示。晶闸管的关断过程，实际上是储...

使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长，同时也延长了关断时间。因此需要在电阻上并联一肖特基二极管，以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻，上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET，如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降（特别是低输出电压应...