红外遥控的特点是不影响周边环境、不干扰其它电器设备。由于其无法穿透墙壁,故不同房间的家用电器可使用通用的遥控器而不会产生相互干扰,所以红外还是没能被、无线等其他传输方式所取代,依旧以低廉的价格占据着市场主体,深受市场欢迎,目前市场上红外接收头多种多样,为了大家更系统化的了解红外接收头,我们将分别论述,这其中很多资料是摘取那些老技术...
查看详细 >>因为光束跨越感应距离的时间一次;不易受干扰,可以可靠合适的使用在野外或者有灰尘的环境中;装置的消耗高,两个单元都必须敷设电缆。漫反射型是当开关发射光束时,目标产生漫反射,发射器和***构成单个的标准部件,当有足够的组合光返回***时,开关状态发生变化,作用距离的典型值一般到3米。特征:有效作用距离是由目标的反射能力决定,由目标表面...
查看详细 >>霍尔传感器简介与分类霍尔传感器,英文名称为Hallsensor,是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,主要用于力测量,具有精度高、线性度好等多种特点,现已在工业自动化技术、检测技术、信息处理等方面有着极的应用。霍尔传感器可分为线型和开关型两种。线型霍尔传感器又可分为开环式线性霍尔传感器和闭环式线性霍尔传感器(又称为零磁通霍尔传感器)...
查看详细 >>图1为本实用新型实施例提供的一种传感器引脚剪切及检测装置的结构图;图2为图1的主视图;图3为图1的侧视图。其中,1-基体,2-凹槽,3-指示灯,4-显示屏,5-电源开关,6-传感器,7-剪切机构。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然。深圳市世华高半导体有限公司(S...
查看详细 >>图1和图2中示出的较窄的边框115)的背光单元200和重量较轻的背光单元200。例如,被定位成在横向上与导光板210的外边缘213相邻(例如,面对导光板210的外边缘213)且在导光板210的外边缘213的外部的光源可以照明背光单元200。然而,在一些实施例中,利用面向导光板210的外边缘213的光源照亮背光单元200可能需要包括...
查看详细 >>已被广泛应用于新型太阳能电池、光电探测器和光电存储器等领域。batio3是一种典型的钙钛矿型铁电材料,其居里温度大约为120℃,介电常数在室温下高达几千,具有良好的铁电性能。对于一个对称性的晶胞而言,由于正负电荷中心相互重合,则晶体无法自发极化。为了提高铁电晶体的极化特性,通过掺杂改变原子的位移,可以使晶胞结构发生畸变,正负电荷中...
查看详细 >>深圳市世华高半导体有限公司(SIVAGO)成立于2004年,总部设在深圳,主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地,负责光电器件的制造。1、红外接收头一般有三只引线脚,分别为接地、电源和信号输出。不同型号的红外接收头,其引脚排列也不相同。笔者用电阻法判别红外接收头的引脚简单。2、用指针式万用表(数字表不适...
查看详细 >>该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地,负责光电器件的制造。相应如下地选择涂层,即,传感体3的表面4和第二表面5被地可导电地涂覆。可导电的涂层例如可以气相蒸镀到表面4和第二表面5上。然而所述涂层也可以构造成具有可导电颗粒的漆的形式。传感体3具有测量区段6和紧固区段7。在此,紧固区段7的层厚比测量区段6的层厚大。可导电的表面4和...
查看详细 >>深圳市世华高半导体有限公司(SIVAGO)成立于2004年,总部设在深圳,主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地,负责光电器件的制造。其产品范围包括光电二极管、光电三极管、红外线接收头、发射管、发光二极管、硅光电池、霍尔元件、光电开关、光电编码器、纸张感应器和光电耦合器等。经过十余年的发展,世华高半导体...
查看详细 >>深圳市世华高半导体有限公司(SIVAGO)成立于2004年,总部设在深圳,主要负责研发和销售工作。该公司选择将汕尾深汕特别合作区作为生产基地,负责光电器件的制造。其产品范围包括光电二极管、光电三极管、红外线接收头、发射管、发光二极管、硅光电池、霍尔元件、光电开关、光电编码器、纸张感应器和光电耦合器等。经过十余年的发展,世华高半导体...
查看详细 >>提高硅基光电二极管响应速度变得越来越迫切。高阻材料虽然可以提高响应度,同时它也会引入三个方面的缺点:一是耗尽区宽度变宽,使得光生载流子漂移时间变长,响应速度变慢;二是耗尽区变宽,需要材料厚度相应的变厚,而对于某些应用场景,需要芯片厚度在150um左右,这种情况下,宽耗尽区并未带来响应度的明显提升;三是由于材料为高阻材料,扩散区电阻...
查看详细 >>设置静电纺丝工艺参数:注射器推进速度3mm/h,纺丝电压12kv,接收距离10cm,滚筒转速300r/min,在固定于滚筒上的fto玻璃上接收固化的复合纤维,150℃烘箱中干燥过夜,烘干后置于650℃马弗炉中煅烧2h,热分解后即可获得sr掺杂batio3薄膜电极;配制30ml浓度为4mmol/l硝酸锌、4mmol/l碲酸钠和,搅拌...
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