探测器距离动态调节与性能影响样品-探测器距离支持1~41mm可调,步长4mm,通过精密机械导轨实现微米级定位精度。在近距离(1mm)模式下,241Am的探测效率可达25%以上,适用于低活度样品的快速筛查;远距离(41mm)模式则通过降低几何因子减少α粒子散射干扰,提升复杂基质中Po-210(5.30MeV)与U-238(4.20Me...
查看详细 >>PIPS探测器α谱仪校准标准源选择与操作规范三、多核素覆盖与效率刻度验证推荐增加²³⁷Np(4.788MeV)或²⁴⁴Cm(5.805MeV)作为扩展校准源,以覆盖U-238(4.196MeV)、Po-210(5.304MeV)等常见核素的能区。效率刻度需采用面源(直径≤51mm)与点源组合,通过蒙特卡罗模拟修正自吸收效应(样品厚度...
查看详细 >>模块化架构与灵活扩展性该系统采用模块化设计理念,**结构精简且标准化,通过增减功能模块可实现4路、8路等多通道扩展配置。硬件层面支持压力传感器、电导率检测单元、温控模块等多种组件的自由组合,用户可根据实验需求选配动态滴定、永停滴定等扩展套件。软件系统同步采用分层架构设计,支持固件升级和算法更新,既可通过USB/WiFi接口加载新功能包...
查看详细 >>自适应增益架构与α能谱优化该数字多道系统专为PIPS探测器设计,提供4K/8K双模式转换增益,通过FPGA动态重构采样精度。在8K道数模式下,系统实现0.0125%的电压分辨率(对应5V量程下0.6mV精度),可精细捕获α粒子特征能峰(如²¹⁰Po的5.3MeV信号),使相邻0.5%能量差异的α峰完全分离(FWHM≤12keV)。增益细...
查看详细 >>多维度质控图与仪器性能跟踪系统TRX AlphaBeta软件为每个探测通道(最大支持32通道)**配置α、β及本底三组质控图,基于Shewhart控制图原理构建动态监控体系。质控数据存储于时序数据库(InfluxDB集群),实时计算西格玛值(±3σ警戒线)、过程能力指数(Cpk≥1.33)及移动极差(MR),并与历史基准数据(滚动周期5...
查看详细 >>PIPS探测器低本底α谱仪采用真空泵组配置与优化真空系统搭载旋片式机械泵,排量达6.7CFM(190L/min),配合油雾过滤器实现洁净抽气,避免油蒸气反流污染敏感探测器组件。泵组采用防腐设计,与镀镍铜腔体连接处配置防震支架,有效降低运行振动对测量精度的影响。系统集成智能控制模块,可通过软件界面实时监控泵体工作状态,并根据预设程序自动...
查看详细 >>智能分析功能与算法优化软件核心算法库包含自动寻峰(基于二阶导数法或高斯拟合)、核素识别(匹配≥300种α核素数据库)及能量/效率刻度模块。能量刻度采用多项式拟合技术,通过241Am(5.49MeV)、244Cm(5.80MeV)等多点校准实现非线性误差≤0.05%,确保Th-230(4.69MeV)与U-234(4.77MeV)等相邻...
查看详细 >>PIPS探测器α谱仪的4K/8K道数模式选择需结合应用场景、测量精度、计数率及设备性能综合判断,其**差异体现于能量分辨率与数据处理效率的平衡。具体选择依据可归纳为以下技术要点:二、4K快速筛查模式的特点及应用高计数率适应性4K模式(4096道)在≥5000cps高计数率场景下,可通过降低单道数据量缩短死时间,减少脉冲堆积效应,保障实...
查看详细 >>多路任务模式与流程自动化针对批量样品检测需求,软件开发了多路任务队列管理系统,可预设测量参数(如真空度、偏压、采集时间)并实现无人值守连续运行。用户通过图形化界面配置样品架位置(最大支持24样品位)后,系统自动执行真空腔室抽气(≤10Pa)、探测器偏压加载(0-200V程控)及数据采集流程,单样品测量时间缩短至30分钟以内(相较传统手...
查看详细 >>应用场景与系统验证软件已通过CNAS(GB/T27418-2017)、ISO/IEC17025等认证,典型应用包括:核电站排放水监测:32通道并行测量,单批次处理96个样品,总α检测限低至0.02Bq/L(EPA900系列标准);环境放射性调查:与GIS系统联动,自动生成活度分布热力图(分辨率1km²),支持²¹⁰Po(α)、¹...
查看详细 >>RLA低本底α谱仪系列:能量分辨率与核素识别能力能量分辨率**指标(≤20keV)基于探测器本征性能与信号处理算法协同优化,采用数字成形技术(如梯形成形时间0.5~8μs可调)抑制高频噪声。在241Am标准源测试中,5.49MeV主峰半高宽(FWHM)稳定在18~20keV,可清晰区分Rn-222子体(如Po-218的6.00MeV与...
查看详细 >>α粒子脉冲整形与噪声抑制集成1μs可编程数字滤波器,采用CR-(RC)^4脉冲成形算法,时间常数可在50ns-2μs间调节。针对α粒子特有的微秒级电流脉冲,设置0.8μs成形时间时,系统等效噪声电荷(ENC)降至8e⁻ RMS,使²²⁶Ra衰变链中4.6MeV(²²²Rn)与6.0MeV(²¹⁰Po)双峰的峰谷比从1.2:1优化至3.5:...
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