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A4952ELYTR-T

A3212EEHLT-T是一款高精度数字霍尔效应传感器芯片,由AllegroMicroSystems公司生产。该芯片采用了数字信号处理技术,具有高精度、高灵敏度、低功耗等特点,广泛应用于汽车、工业、医疗、消费电子等领域。A3212EEHLT-T芯片采用了3引脚SOT-23封装,工作电压范围为2.5V...

ACS716KLATR-6BB-NL-T

A3955SLB是一款高性能、低成本的双H桥驱动器芯片,主要用于直流电机控制应用。该芯片采用了双H桥结构,能够控制两个直流电机的转速和方向,同时还具有过流保护、欠压锁定、过温保护等多种保护功能。A3955SLB芯片的工作电压范围为4.5V至30V,输出电流为2A,能够满足大多数直流电机的控制需求。该...

ACS732KLATR-75AB-T2

ACS71240LLCBTR-010B3是一款由InfineonTechnologies生产的电流传感器。它是一种精密的半导体设备,主要用于测量和监视电路中的电流。该电流传感器采用霍尔效应原理进行工作,可以对交流或直流电流进行精确测量。其测量范围从几毫安到几安培,具有较高的测量精度和线性度。同时,它...

ACS758LCB-100U1

A3955SLB是一款高性能、低成本的双H桥驱动器芯片,主要用于直流电机控制应用。该芯片采用了双H桥结构,能够控制两个直流电机的转速和方向,同时还具有过流保护、欠压锁定、过温保护等多种保护功能。A3955SLB芯片的工作电压范围为4.5V至30V,输出电流为2A,能够满足大多数直流电机的控制需求。该...

ACS758LCB-100U-PFF3

UGN3503UA是由日本制造商NittoDenkoCorporation生产的薄型、高温、大电流整流二极管。该二极管采用先进的半导体工艺技术制成,具有良好的性能表现。它可以在高工作温度下实现快速开关操作,正向电压为350伏特,反向电压为1000伏特,浪涌电流为100安培。UGN3503UA的突出特...

ACS712ELCTR05BG

ACS712ELCTR-20A-T是电流感应放大器,它具有低成本、低功耗、高精度和宽工作电压范围等特点,适用于各种应用,如电机控制器、电池保护、电源管理、过流保护等。该器件采用小巧的SOT-23-5封装,内置精确的运算放大器和低阻抗的电流检测电阻,可实现高精度的电流检测和保护功能。它可以在宽工作电压...

ACS37800KMACTR-030B3-I2C

A3938SLDTR-T是来自NXP公司的汽车级700V双向二极管,具有高反向电压和低正向压降的特点。A3938SLDTR-T是一种高性能的肖特基二极管,可以应用于各种汽车电子系统。它的反向电压高达700V,正向电流高达2A,正向压降低至0.7V,可以有效地提高电路的可靠性和效率。A3938SLDT...

NUC972DF71Y

全球大的芯片制造商之一——韩国三星电子的发言人表示,该公司在美国德州奥斯汀有2家工厂,而本周二当地已经要求该公司关闭这2家工厂。深圳市硅宇电子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座,2002年成立北...

VC5409PE

中星微电子手机多媒体芯片全球销量突破1亿枚。2009年,**“核高基”重大专项进入申报与实施阶段。2011年,《关于印发进一步鼓励软件产业和继承电路产业发展若干政策的通知》。[5]2012年-2019年高质量发展期2012年,《集成电路产业“十二五”发展规划》发布;韩国三星70亿美元一期投资...

88E6083-B0-LGR1C000

**招聘了100多名前台积电工程师以力争获得芯片(产业)地位。作为全世界大的芯片代工企业,台积电成为**(大陆)求贤若渴的芯片项目的首要目标。高德纳咨询半导体分析师罗杰·盛(音)说:“**芯片人才依然奇缺,因为该国正在同时开展许多大型项目。人才不足是制约半导体发展的瓶颈。[7]2、华为消费者...

A6270KLPTR-T-1

ACS724LMATR-50AU-T是一款高精度、低功耗、电流传感器芯片。该芯片采用了铜箔电流感应技术,能够实现高达50A的电流测量范围,并且具有非常高的精度和稳定性。该芯片还具有内置的过压保护和短路保护功能,能够有效保护系统免受电流过载和短路等异常情况的影响。ACS724LMATR-50AU-T芯...

74HC393D

而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。2006年,芯片面积从几平方毫米到350mm²,每mm²可以达到一百万个晶体管。个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的,其中包括一个双极性晶体管,三个电阻和一个电容器。根据一个芯片上集...

LMR14030SQDDARQ1

台全部采用国产处理器构建的超级计算机“神威太湖之光”获世界超算。2017年,长江存储一期项目封顶;存储器产线建设开启;全球AI芯片独角兽初创公司成立;华为发布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年,紫光量产32层3DNAND(零突破)。2019年,华为旗下海思发布全球5GSoC芯片海思麒麟...

AFBR5803ATQZ

三个电阻和一个电容器。根据一个芯片上集成的微电子器件的数量,集成电路可以分为以下几类:小型集成电路(SSI英文全名为SmallScale**的集成电路是微处理器或多核处理器的,可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高,但是当分散到通常以百万计的产品上,...

A5348CA-T

A4911KJPTR-T-1是线性光耦合器,它是一种高性能、低成本的光电隔离器,适用于各种隔离和信号传输应用。该器件采用小巧的TSSOP-16封装,内置了红外发射二极管、光敏接收器、电压调节器、放大器等模块,可实现高速、低噪音、高精度、长距离的光电信号传输和隔离功能。A4911KJPTR-T-1可广...

EP1K50QC208-2

力争在高科技领域不受制于人。[8]4、美国消费者新闻与商业频道网站8月10日报道指出,**计划到2020年将半导体自给率提高到40%,到2025年提高到70%。[4]瑞士米拉博证券公司技术、媒体和电信研究主管尼尔·坎普林在电子邮件中告诉消费者新闻与商业频道记者:“我认为,这场新的技术冷战正是...

RTL8201F-VB-CG

所述冷却管中的每个冷却管具有在冷却管与系统板相对的一侧上粘附至冷却管的热接口材料层。在处,流程包括提供多个集成电路模块。例如,集成电路模块可以包括一个或多个双列直插式存储模块组件。每个集成电路模块包括:印刷电路板,所述印刷电路板具有布置在印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中的连接侧;安装在...

MPQ4572GQB-AEC1-Z

尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如:发光二极管、激光、太阳能电池和高速集成电路,单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。半导体集成电路工艺,包括以下步骤,并重复使用:光刻刻蚀薄膜(化学气相沉积或物相沉积)掺杂(热扩散或离子注入)化学机...

A3187LLTTR-T

A2595SLW是来自AllianceMemory公司的四通道、双向、半缓冲器驱动器,适用于在较高速度的数据线上进行稳定的信号传输。该器件采用小巧的微型SOIC-8封装,具有四个的通道,可双向传输数据。A2595SLW具有高速性能,可实现高达50MHz的数据传输速率。它还具有低功耗特性,可延长系统的...

H2019NL

在80年代早期,基于集成电路电源电流的诊断技术便被提出。电源电流通常与电路中所有的节点都是直接或间接相关的,因此基于电流的诊断方法能覆盖更多的电路故障。然而电流诊断技术的提出并非是为了取代电压测试,而是对其进行补充,以提高故障诊断的检测率和覆盖率。电流诊断技术又分为静态电流诊断和动态电流诊断...

XB5358A

这是**次从国外引进集成电路技术;成立电子计算机和大规模集成电路领导小组,制定了**IC发展规划,提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。1985年,块64KDRAM在无锡国营724厂试制成功。1988年,上无十四厂建成了我国条4英寸线。1989年,机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战...

TLC0832IDR

所述第二热接口材料层与所述集成电路热耦联,和能够移除的散热器,所述散热器与所述第二热接口材料层热耦联,所述散热器具有越过印刷电路板的与所述连接侧相对的侧延伸的顶表面;其中,所述两个印刷电路装配件被相对地放置在一起,使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电...

40CPQ100

这些步骤的部分或全部可以以其他顺序执行、并行地执行或两者的组合。一些步骤可以被省略。参考图,在处,提供两个印刷电路装配件。每个印刷电路装配件包括:系统板;平行地安装在系统板上的多个印刷电路板插座;和多个冷却管,每个所述冷却管安装在系统板上、平行且邻接于所述印刷电路板插座中对应的一个印刷电路板...

ACS714ELCTR-05B-T

A4986SLPTR-T是步进电机驱动器,它采用纤薄封装,具有高效率、低功耗、低噪声和低成本等特点,适用于各种步进电机应用,如打印机、扫描仪、摄像头等。该器件内置高性能的步进电机驱动器集成电路,可驱动高达35V的步进电机,并具有内置的过热保护和电流限制功能,可保护电路免受过载和过热的影响。此外,A4...

HC573

公司工程技术力量强大,可为客户设计指导方案开发。这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了,而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。掺加杂质将晶圆中植入离子,生成相应的P、N类半导体。具体工艺是从硅片上暴露的区域开始,放入化学离子混合液中。这一工艺...

QPQ1285SR

SIP:单列式封装SQP:小型化封装MCP:金属罐式封装DIP:双列式封装CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装PGA:点阵式封装BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体原理播报编辑芯片是一种集成电路,由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模,大到几亿;小到几十、几百个晶体...

SPX29302T5-L/TR

IC由很多重叠的层组成,每层由视频技术定义,通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层(成为扩散层),一些定义哪里额外的离子灌输(灌输层),一些定义导体(多晶硅或金属层),一些定义传导层之间的连接(过孔或接触层)。所有的组件由这些层的特定组合构成。在一个自排列(CMOS)过...

GY581Q

尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如:发光二极管、激光、太阳能电池和高速集成电路,单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。半导体集成电路工艺,包括以下步骤,并重复使用:光刻刻蚀薄膜(化学气相沉积或物相沉积)掺杂(热扩散或离子注入)化学机...

AT24C08C

VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制,后导致插针网格数组和芯片载体的出现。表面贴着封装在20世纪80年代初期出现,该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距,引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-OutlineIntegratedCircuit(SOIC)为例,比相等的DIP面积少30...

SIE808DF-T1-E3

总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座,2002年成立北京分公司,是专业的IC供货商(只做原装),其中有8位单片机、32位单片机;在该领域已经营多年,资源丰富,目前已发展成为一家专业化、规模化的电子元器件经销商,且得到厂商的大力支持与新老客户的认同,公司工程技术力量强大,可为客户设计指导方...

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