陶瓷电容的‘啸叫’现象，其振动变化只有1pm~1nm左右，是压电应用产品的1/10到几十倍，非常小。因此，我们可以判断这种现象对单片陶瓷电容器及周边元器件的影响，不存在可靠性问题。MLCC电容器的啸叫主要是由陶瓷的压电效应引起的。MLCC电容器由于其特殊的结构，当两端施加的电场发生变化时，可以引起机械应力的比例变化，这就是逆压电效应。当振... 【查看详情】

理想的高频和低阻抗特性：聚合物固体电解电容器具有极低的损耗和理想的高频低阻抗特性，广泛应用于去耦、滤波等电路，效果埋没，尤其是高频滤波效果较好。通过一个实验可以更直观、更清楚地看到，聚合物固体铝电解电容器的高频特性与普通电解电容器有明显的区别。在平滑电路的输入端叠加一个1MHz(峰间电压8V)的高频干扰信号，通过47uF的聚合物固体电解电... 【查看详情】

MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含... 【查看详情】

MLCC的主要应用领域MLCC可应用于各种电路，如振荡电路、定时或延迟电路、耦合电路、去耦电路、平滑滤波电路、抑制高频噪声等。MLCC工业的下游几乎涵盖了电子工业的所有领域，如消费电子、工业、通讯、汽车和等。MLCC是电子信息产业的中心电子元器件之一。它除了具有普通陶瓷电容器的优点外，还具有体积小、容量大、机械强度高、耐湿性好、内部电感小... 【查看详情】

陶瓷电容的‘啸叫’现象，其振动变化只有1pm~1nm左右，是压电应用产品的1/10到几十倍，非常小。因此，我们可以判断这种现象对单片陶瓷电容器及周边元器件的影响，不存在可靠性问题。MLCC电容器的啸叫主要是由陶瓷的压电效应引起的。MLCC电容器由于其特殊的结构，当两端施加的电场发生变化时，可以引起机械应力的比例变化，这就是逆压电效应。当振... 【查看详情】

电容容量,普通陶瓷电容的电容范围：0.5pF~100uF。陶瓷的电容从0.5pF开始可以达到100uF，根据不同的电容封装(尺寸)电容会有所不同。在选择电容器时，不能盲目选择大容量。选对了才是对的。比如0402电容可以做到10uF/10V，0805电容可以做到47uF/10V。但为了采购好，成本低，一般不选择电容。一般建议0402选用4.... 【查看详情】

纹波电流容差影响电解电容器性能的较重要参数之一是纹波电流。纹波电流对铝电解电容器的影响主要是由于功耗对ESR的影响，使铝电解电容器发热，从而缩短使用寿命。从特性曲线(图2)可以看出，纹波电流对ESR造成的损耗与纹波电流有效值的平方成正比，所以随着纹波电流的增加，小时寿命曲线类似于抛物线函数曲线。降低纹波电流的方法可以采用更大容量的铝电解电... 【查看详情】

铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容... 【查看详情】

当负载频率上升到额定电流值时，即使电容器上的交流电压没有达到额定电压，负载的交流电流也必须保持不高于额定电流值。如果电容器损耗因数引起的发热开始发挥更明显的作用，则负载电流必须降低，如图右侧曲线部分所示，其中电流随着频率的增加而降低。由于第二类介质陶瓷电容器的电容远大于1类介质电容器的电容，所以滤波用的F陶瓷电容器的交流电压通常在1V以下... 【查看详情】

电解电容器的寿命除了与电容器长期工作的环境温度有关，另一原因，电解电容器的寿命还与电容器长时间工作的交流电流与额定脉冲电流（一般是指在85℃的环境温度下测试值，但是有一些耐高温的电解电容器是在125℃时测试的数据）的比值有关。一般说来，这个比值越大，电解电容器的寿命越短，当流过电解电容器的电流为额定电流的3.8倍时，电解电容器一般都已经损... 【查看详情】

片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容)MLCC的优点：1、由于使用多层介质叠加的结构，高频时电感非常低，具有非常低的等效串联电阻，因此可以使用在高频和甚高频电路滤波无对手；2、无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路；3、使用在低阻抗电路不需要大幅度降额；4、击穿时不燃烧，安全性高。所有都用陶瓷为介质的电容器都叫陶瓷电... 【查看详情】

一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用... 【查看详情】